9783540202158 - electronic properties of semiconductor interfaces: 43 (springer series in surface sciences, 43) de mönch, winfried (16 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Berlin, Springer 2004
Serie: Springer Series in Surface Sciences, Libro 10 de 30. Libro 10 de 30 - Springer Series in Surface Sciences
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Editorial: Springer-Verlag, Berlin 2004
Serie: Springer Series in Surface Sciences, Libro 10 de 30. Libro 10 de 30 - Springer Series in Surface Sciences
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Condición: Very Good+. Hardcover, [xi], 263 pages. Very Good+ condition. Size 9.5"x6.5". "Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which…overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively." Book has light exterior shelfwear, else Fine condition, clean and unmarked.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, New York 2004
Serie: Springer Series in Surface Sciences, Libro 10 de 30. Libro 10 de 30 - Springer Series in Surface Sciences
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Condición: Very Good. Estado de la sobrecubierta: No dustjacket, as published. 8vo pp. 275, as new, still in shrink wrap, "Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, MÃ nch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-functio…n tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the. book.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer 2004
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Editorial: Springer, Springer Vieweg 2004
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monograph that tr…eats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.
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Editorial: Springer Berlin Heidelberg 2004
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Gebunden. Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Basic standard bookImportant with respect to semiconductor structuresUsing the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Moench explains the band-structure lineup at all types of… semiconductor interfaces. The.
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Editorial: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Jan 2004 2004
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first m…onograph that treats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively. 280 pp. Englisch.
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Editorial: Springer, Springer Vieweg Jan 2004 2004
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monog…raph that treats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface¿induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling¿s electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 280 pp. Englisch.
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Editorial: Springer 2004
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