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9783031014246 - Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices) de Kim, Yo... (13 resultados)
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 32,17
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 33,68
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Añadir al carritoCondición: New.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 42,99
Envío por EUR 3,42
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 34,30
Envío por EUR 13,82
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. In English.
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 33,12
Envío por EUR 17,31
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 37,67
Envío por EUR 17,31
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Hf-Based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing, 2007
ISBN 10: 3031014243 ISBN 13: 9783031014246
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,95
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) was investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, were studied under constant voltage stress. Dynamic stressing has also been used. It was found that the combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime. The results from the polarity dependence studies showed that the substrate injection exhibited a shorter projected lifetime and worse soft breakdown behavior, compared to the gate injection. The origin of soft breakdown (first breakdown) was studied and the results suggested that the soft breakdown may be due to one layer breakdown in the bilayer structure (HfO2/SiO2: 4 nm/4 nm). Low Weibull slope was in part attributed to the lower barrier height of HfO2 at the interface layer. Interface layer optimization was conducted in terms of mobility, swing, and short channel effect using deep submicron MOSFET devices.
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Hf-Based High-k Dielectrics (eng)
Librería: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Calificación del vendedor: 3 de 5 estrellas
EUR 28,61
Envío por EUR 5,50
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 39,55
Envío por EUR 7,50
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 41,63
Envío por EUR 9,95
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND.
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Hf-Based High-k Dielectrics
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing Dez 2007, 2007
ISBN 10: 3031014243 ISBN 13: 9783031014246
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,95
Envío por EUR 23,00
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) was investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, were studied under constant voltage stress. Dynamic stressing has also been used. It was found that the combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime. The results from the polarity dependence studies showed that the substrate injection exhibited a shorter projected lifetime and worse soft breakdown behavior, compared to the gate injection. The origin of soft breakdown (first breakdown) was studied and the results suggested that the soft breakdown may be due to one layer breakdown in the bilayer structure (HfO2/SiO2: 4 nm/4 nm). Low Weibull slope was in part attributed to the lower barrier height of HfO2 at the interface layer. Interface layer optimization was conducted in terms of mobility, swing, and short channel effect using deep submicron MOSFET devices. 104 pp. Englisch.
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Hf-Based High-k Dielectrics
Idioma: Inglés
Publicado por Springer International Publishing, 2007
ISBN 10: 3031014243 ISBN 13: 9783031014246
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 28,42
Envío por EUR 48,99
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Añadir al carritoKartoniert / Broschiert. Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Young-Hee Kim was born in Yang-Pyung, Korea, on January 24, 1972, as a son of Yong-Kae Kim and Jong-Rae Lee. He graduated from Sajic High School, Pusan, Korea, and joined Korean Air Force serving as military policeman. In 1995, he got admission in Kyung-Hee.
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Hf-Based High-k Dielectrics
Idioma: Inglés
Publicado por Birkhäuser, Springer Dez 2007, 2007
ISBN 10: 3031014243 ISBN 13: 9783031014246
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,95
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Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (RüTa alloy, Ru) was investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, were studied under constant voltage stress. Dynamic stressing has also been used. It was found that the combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime. The results from the polarity dependence studies showed that the substrate injection exhibited a shorter projected lifetime and worse soft breakdown behavior, compared to the gate injection. The origin of soft breakdown (first breakdown) was studied and the results suggested that the soft breakdown may be due to one layer breakdown in the bilayer structure (HfO2/SiO2: 4 nm/4 nm). Low Weibull slope was in part attributed to the lower barrier height of HfO2 at the interface layer. Interface layer optimization was conducted in terms of mobility, swing, and short channel effect using deep submicron MOSFET devices.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 104 pp. Englisch.
