Isbn: 9783031008993 - new prospects of integrating low substrate temperatures with scaling-sustained device architectural innovation (synthesis lectures on emerging engineering technologies) (10 resultados)
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures (. …
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Taschenbuch. Condición: Neu. New Prospects of Integrating Low Substrate Temperatures with Scaling-Sustained Device Architectural Innovation | Nabil Shovon Ashraf (u. a.) | Taschenbuch | Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies | viii | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783031008993 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.…
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures ( 84 pp. Englisch.…
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Kartoniert / Broschiert. Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Nabil Shovon Ashraf was born in Dhaka, Bangladesh, in 1974. He obtained his Bachelor s degree in Electrical Engineering (EE) from Indian Institute of Technology Kanpur, India, in 1997, Master s degree in EE from University of Central Florida, Orlando, Flori.…
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures (Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 84 pp. Englisch.…
