9781849199971 - nano-cmos and post-cmos electronics: devices and modelling (volume 1) (materials, circuits and devices) (16 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: Marlton Books, Bridgeton, NJ, Estados Unidos de AmericaMarlton Books
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EUR 59,56
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Condición: Very Good. Good shape with typical wear. Has a remainder mark. hardcover Used - Very Good 2016.
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: Recycle Bookstore, San Jose, CA, Estados Unidos de AmericaRecycle Bookstore
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EUR 63,23
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Hardcover. Condición: Very Good. Boook has a significant bump at the top of the back cover, with minor rubbing to the covers, and minor wear at the edges and corners, leaving it in great condition. Its well-bound with bright ages that are crisp and unmarked.
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 134,19
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Condición: New.
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Idioma: Inglés
Editorial: Institution of Engineering and Technology, GB, 2016
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Librería: Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Estados Unidos de AmericaRarewaves USA
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EUR 136,59
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Hardback. Condición: New. The demand for ever smaller and portable electronic devices has driven metal oxide semiconductor-based (CMOS) technology to its physical limit with the smallest possible feature sizes. This presents various size-related problems such as high power leakage, low-reliability, and thermal effects, and is a…limit on further miniaturization. To enable even smaller electronics, various nanodevices including carbon nanotube transistors, graphene transistors, tunnel transistors and memristors (collectively called post-CMOS devices) are emerging that could replace the traditional and ubiquitous silicon transistor. This book explores these nanoelectronics at the device level including modelling and design. Topics covered include high-k dielectrics; high mobility n and p channels on gallium arsenide and silicon substrates using interfacial misfit dislocation arrays; anodic metal-insulator-metal (MIM) capacitors; graphene transistors; junction and doping free transistors; nanoscale gigh-k/metal-gate CMOS and FinFET based logic libraries; multiple-independent-gate nanowire transistors; carbon nanotubes for efficient power delivery; timing driven buffer insertion for carbon nanotube interconnects; memristor modeling; and neuromorphic devices and circuits. This book is essential reading for researchers, research-focused industry designers/developers, and advanced students working on next-generation electronic devices and circuits.
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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EUR 129,29
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Condición: New. In English.
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 129,27
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Condición: New.
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Idioma: Inglés
Editorial: Institution of Engineering and Technology, GB, 2016
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Librería: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Estados Unidos de AmericaRarewaves USA United
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EUR 137,18
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Hardback. Condición: New. The demand for ever smaller and portable electronic devices has driven metal oxide semiconductor-based (CMOS) technology to its physical limit with the smallest possible feature sizes. This presents various size-related problems such as high power leakage, low-reliability, and thermal effects, and is a…limit on further miniaturization. To enable even smaller electronics, various nanodevices including carbon nanotube transistors, graphene transistors, tunnel transistors and memristors (collectively called post-CMOS devices) are emerging that could replace the traditional and ubiquitous silicon transistor. This book explores these nanoelectronics at the device level including modelling and design. Topics covered include high-k dielectrics; high mobility n and p channels on gallium arsenide and silicon substrates using interfacial misfit dislocation arrays; anodic metal-insulator-metal (MIM) capacitors; graphene transistors; junction and doping free transistors; nanoscale gigh-k/metal-gate CMOS and FinFET based logic libraries; multiple-independent-gate nanowire transistors; carbon nanotubes for efficient power delivery; timing driven buffer insertion for carbon nanotube interconnects; memristor modeling; and neuromorphic devices and circuits. This book is essential reading for researchers, research-focused industry designers/developers, and advanced students working on next-generation electronic devices and circuits.
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Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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Envío por EUR 48,99Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. Inhaltsverzeichnisrnrnn Chapter 1: High-κ dielectrics and device reliabilityn Chapter 2: High mobility n and p channels on gallium arsenide and silicon substrates using interfacial misfit dislocation arraysn Chapte.
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Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino UnidoRevaluation Books
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EUR 183,86
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Hardcover. Condición: Brand New. 368 pages. 9.25x6.25x1.00 inches. In Stock.
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Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 196,71
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino UnidoMispah books
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EUR 187,06
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hardcover. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Idioma: Inglés
Editorial: The Institution of Engineering and Technology, 2016
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Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 219,97
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
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Idioma: Inglés
Editorial: Institution Of Engineering And Technology Jan 2023, 2023
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Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 174,55
Envío por EUR 63,57Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Buch. Condición: Neu. Neuware - The demand for ever smaller and portable electronic devices has driven metal oxide semiconductor-based (CMOS) technology to its physical limit with the smallest possible feature sizes. This presents various size-related problems such as high power leakage, low-reliability, and thermal effects, and… is a limit on further miniaturization. To enable even smaller electronics, various nanodevices including carbon nanotube transistors, graphene transistors, tunnel transistors and memristors (collectively called post-CMOS devices) are emerging that could replace the traditional and ubiquitous silicon transistor. This book explores these nanoelectronics at the device level including modelling and design. Topics covered include high-k dielectrics; high mobility n and p channels on gallium arsenide and silicon substrates using interfacial misfit dislocation arrays; anodic metal-insulator-metal (MIM) capacitors; graphene transistors; junction and doping free transistors; nanoscale gigh-k/metal-gate CMOS and FinFET based logic libraries; multiple-independent-gate nanowire transistors; carbon nanotubes for efficient power delivery; timing driven buffer insertion for carbon nanotube interconnects; memristor modeling; and neuromorphic devices and circuits. This book is essential reading for researchers, research-focused industry designers/developers, and advanced students working on next-generation electronic devices and circuits.
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EUR 137,74
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EUR 131,40
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EUR 154,50
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