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9781286861646 - An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors de Sattler, James M. (7 resultados)
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: moluna, Greven, Alemania
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Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnThe effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the qua.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por Biblioscholar Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1286861640 ISBN 13: 9781286861646
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - The effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the quantum-level characteristics and properties that are responsible for device operation. AlxGa1-xN/GaN MODFETs were fabricated and irradiated at liquid nitrogen temperatures by 0.45 -1.2 MeV electrons up to doses of 6 1016 e /cm2. Following irradiation, low temperature I-V measurements were recorded providing dose-dependent measurements. Temperature-dependent I-V measurements were also made during room temperature annealing following irradiation. I-V measurements indicate radiation-induced changes occur in these devices creating increased gate and drain currents. These increased currents are only maintained at low temperatures (T greater than 300 K). It is believed that the increase in gate current is caused by an increase in the electron trap concentration of the AlxGa1-xN layer. This increase in trap concentration directly increases the trap-assisted tunneling current resulting in the observed increase in gate current. The mechanism causing the increase in drain current is unknown. Several theories explaining this increase are presented along with the additional research necessary to illuminate the correct theory. This is the first experiment involving electron radiation of AlxGa1-xN/GaN MODFETs.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
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