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9781286861400 - Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors de Feller, Brian P. (12 resultados)
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors (Paperback or Softback)
Idioma: Inglés
Publicado por Biblioscholar 10/26/2012, 2012
ISBN 10: 1286861403 ISBN 13: 9781286861400
Librería: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnThin films of GaN, Al0.1Ga0.9N, and ZnO were implanted with Cr, Mn, and nickel Ni to produce dilute magnetic semiconductors. Optical and magnetic techniques were used to evaluate crystal structure restoration and coercive field st.
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2012
ISBN 10: 1286861403 ISBN 13: 9781286861400
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1286861403 ISBN 13: 9781286861400
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 27,41
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - Thin films of GaN, Al0.1Ga0.9N, and ZnO were implanted with Cr, Mn, and nickel Ni to produce dilute magnetic semiconductors. Optical and magnetic techniques were used to evaluate crystal structure restoration and coercive field strength as a function of implant species and annealing temperature. Maximum crystal restoration was obtained for Al0.1Ga0.9N after annealing at 675 oC; for Cr implanted p-GaN after annealing at 750 oC; for Mn or Ni implanted p-GaN after annealing at 675 oC; for Cr implanted ZnO after annealing at 700 oC; for Mn implanted ZnO after annealing at 675 oC; and for Ni implanted ZnO after annealing at 650 oC. Maximum coercive field strengths were found for Cr implanted Al0.1Ga0.9N after annealing at 750 oC; for Mn implanted Al0.1Ga0.9N after annealing at 675 oC; for Ni implanted Al0.1Ga0.9N after annealing at 700 oC; for Cr or Mn implanted p-GaN after annealing at 725 oC; for Ni implanted p-GaN after annealing at 675 oC; for Cr or Ni implanted ZnO after annealing at 725 oC; and for Mn implanted ZnO after annealing at 725 oC. Optimum annealing conditions for optical and magnetic properties of the implanted wide band gap semiconductors agree with each other very well.
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2012
ISBN 10: 1286861403 ISBN 13: 9781286861400
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 64.
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 28,23
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Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
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