Technology CAD ¿ Computer Simulation of IC Processes and Devices

Idioma: inglés

Editorial: Springer US Jul 1993, 1993

0792393791 / 9780792393795

Serie: Libro 175 de 260 - The Springer International Series in Engineering and Computer Science

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model . 400 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9780792393795

Título
Technology CAD ¿ Computer Simulation of IC Processes and Devices
Autor
Zhiping Yu
Editorial
Springer US Jul 1993
Año de publicación
1993
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
0792393791
ISBN 13
9780792393795
Peso del artículo
764 gramos
Dimensiones
241x160x26 mm
Serie
Libro 175 de 260: The Springer International Series in Engineering and Computer Science

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