Shrijit mukherjee (35 resultados)
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 61,63
Envío por EUR 2,28Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de AmericaCalifornia Books
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 63,98
Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado - Como Nuevo
EUR 64,14
Envío por EUR 2,28Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino UnidoRarewaves.com USA
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 66,93
Gastos de envío gratisSe envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback. Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves USA, HEBRON, KY, Estados Unidos de AmericaRarewaves USA
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 72,01
Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback. Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 62,71
Envío por EUR 13,97Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. In.
- Tapa blanda
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino UnidoChiron Media
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 58,96
Envío por EUR 18,06Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback. Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 61,94
Envío por EUR 17,49Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado - Como Nuevo
EUR 68,97
Envío por EUR 17,49Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa dura
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 92,73
Envío por EUR 2,28Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa dura
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de AmericaCalifornia Books
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 95,09
Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa dura
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado - Como Nuevo
EUR 93,37
Envío por EUR 2,28Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa dura
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 88,01
Envío por EUR 17,49Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New.
- Tapa dura
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 91,76
Envío por EUR 13,97Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. In.
- Tapa dura
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado - Como Nuevo
EUR 99,86
Envío por EUR 17,49Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves USA United, HEBRON, KY, Estados Unidos de AmericaRarewaves USA United
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 74,58
Envío por EUR 43,14Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback. Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Buchpark, Trebbin, AlemaniaBuchpark
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado
EUR 24,97
Envío por EUR 105,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Condición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Abstract: GaN based devices have reached a point in terms of processing maturity where the favorable wide-band gap related properties can be implemented in several commercial and military applications. However, long term reliability continu…es to affect large scale integration of such devices, specifically the potential of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs), due to the indefinite nature of defects in the structure and mechanisms of performance degradation relevant to such defects. Recent efforts have begun to concentrate more on the bulk properties of the GaN buffer on which the heterostructure is grown, and how defects distributed in the buffer can affect the performance under various operating schemes. This dissertation discusses numerical simulator based investigation of the numerous possibilities by which such point defects can affect electrical behavior. For HEMTs designed for satellite communication systems, proton irradiation results indicate changes in the device parasitics resulting in degradation of RF parameters. Assumption of such radiation damage introducing fast traps indicate severe degradation far exceeding experimental observation. For power switching applications, the necessity of accurately capturing as-grown defects was realized when modeling current relaxation during bias switching. Ability to introduce multiple trap levels in the material bulk aided in achieving simulation results replicating experimental results more accurately than published previously. Impact of factors associated with such traps, either associated with discrete energy levels or band-like distribution in energy, on the nature of current relaxation characterized by its derivative has been presented. Dissertation Discovery Company and University of Florida are dedicated to making scholarly works more discoverable and accessible throughout the world. This dissertation, "Dynamic Performance Simulation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors" by Shrijit Mukherjee, was obtained from University of Florida and is being sold with permission from the author. A digital copy of this work may also be found in the university's institutional repository, IR@UF. The content of this dissertation has not been altered in any way. We have altered the formatting in order to facilitate the ease of printing and reading of the dissertation.
- Tapa blanda
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino UnidoRarewaves.com UK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 64,40
Envío por EUR 75,78Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback. Condición: New.
- Tapa dura
Librería: Buchpark, Trebbin, AlemaniaBuchpark
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado - Excelente
EUR 58,43
Envío por EUR 105,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Abstract: GaN based devices have reached a point in terms of processing maturity where the favorable wide-band gap related properties can be implemented in several commercial and military applications. However, long term reliability continues to af…fect large scale integration of such devices, specifically the potential of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs), due to the indefinite nature of defects in the structure and mechanisms of performance degradation relevant to such defects. Recent efforts have begun to concentrate more on the bulk properties of the GaN buffer on which the heterostructure is grown, and how defects distributed in the buffer can affect the performance under various operating schemes. This dissertation discusses numerical simulator based investigation of the numerous possibilities by which such point defects can affect electrical behavior. For HEMTs designed for satellite communication systems, proton irradiation results indicate changes in the device parasitics resulting in degradation of RF parameters. Assumption of such radiation damage introducing fast traps indicate severe degradation far exceeding experimental observation. For power switching applications, the necessity of accurately capturing as-grown defects was realized when modeling current relaxation during bias switching. Ability to introduce multiple trap levels in the material bulk aided in achieving simulation results replicating experimental results more accurately than published previously. Impact of factors associated with such traps, either associated with discrete energy levels or band-like distribution in energy, on the nature of current relaxation characterized by its derivative has been presented. Dissertation Discovery Company and University of Florida are dedicated to making scholarly works more discoverable and accessible throughout the world. This dissertation, "Dynamic Performance Simulation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors" by Shrijit Mukherjee, was obtained from University of Florida and is being sold with permission from the author. A digital copy of this work may also be found in the university's institutional repository, IR@UF. The content of this dissertation has not been altered in any way. We have altered the formatting in order to facilitate the ease of printing and reading of the dissertation.
- Tapa dura
Librería: Buchpark, Trebbin, AlemaniaBuchpark
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Usado
EUR 60,18
Envío por EUR 105,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Condición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Abstract: GaN based devices have reached a point in terms of processing maturity where the favorable wide-band gap related properties can be implemented in several commercial and military applications. However, long term reliability continu…es to affect large scale integration of such devices, specifically the potential of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs), due to the indefinite nature of defects in the structure and mechanisms of performance degradation relevant to such defects. Recent efforts have begun to concentrate more on the bulk properties of the GaN buffer on which the heterostructure is grown, and how defects distributed in the buffer can affect the performance under various operating schemes. This dissertation discusses numerical simulator based investigation of the numerous possibilities by which such point defects can affect electrical behavior. For HEMTs designed for satellite communication systems, proton irradiation results indicate changes in the device parasitics resulting in degradation of RF parameters. Assumption of such radiation damage introducing fast traps indicate severe degradation far exceeding experimental observation. For power switching applications, the necessity of accurately capturing as-grown defects was realized when modeling current relaxation during bias switching. Ability to introduce multiple trap levels in the material bulk aided in achieving simulation results replicating experimental results more accurately than published previously. Impact of factors associated with such traps, either associated with discrete energy levels or band-like distribution in energy, on the nature of current relaxation characterized by its derivative has been presented. Dissertation Discovery Company and University of Florida are dedicated to making scholarly works more discoverable and accessible throughout the world. This dissertation, "Dynamic Performance Simulation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors" by Shrijit Mukherjee, was obtained from University of Florida and is being sold with permission from the author. A digital copy of this work may also be found in the university's institutional repository, IR@UF. The content of this dissertation has not been altered in any way. We have altered the formatting in order to facilitate the ease of printing and reading of the dissertation.
- Tapa blanda
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino UnidoMispah books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 144,10
Envío por EUR 29,15Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
paperback. Condición: New. NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
- Tapa dura
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino UnidoMispah books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 192,14
Envío por EUR 29,15Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Hardcover. Condición: New. NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de AmericaPBShop.store US
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 66,36
Gastos de envío gratisSe envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
PAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino UnidoPBShop.store UK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 63,44
Envío por EUR 4,85Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
PAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino UnidoTHE SAINT BOOKSTORE
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 72,93
Envío por EUR 15,44Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Paperback / softback. Condición: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days.
- Tapa dura
- Impresión bajo demanda
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino UnidoPBShop.store UK
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 88,02
Envío por EUR 5,85Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
HRD. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino UnidoMajestic Books
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 89,68
Envío por EUR 7,58Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. Print on Demand pp. 130.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de AmericaBooks Puddle
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 95,47
Envío por EUR 3,44Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. Print on Demand pp. 130.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
Contactar con el vendedorVendedor de 4 estrellasCondición: Nuevo
EUR 92,21
Envío por EUR 9,95Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Condición: New. PRINT ON DEMAND pp. 130.
Más imágenes- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
Contactar con el vendedorVendedor de 5 estrellasCondición: Nuevo
EUR 45,35
Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Dynamic Performance Simulation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors | Shrijit Mukherjee | Taschenbuch | Kartoniert / Broschiert | Englisch | 2019 | Dissertation Discovery Company | EAN 9780530005881 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at…]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
