Pesic milan (23 resultados)
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 24,73
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Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de AmericaCalifornia Books
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EUR 27,13
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Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de AmericaGreatBookPrices
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EUR 25,02
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Condición: As New. Unread book in perfect condition.
- Tapa blanda
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino UnidoRia Christie Collections
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EUR 27,32
Envío por EUR 13,88Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. In.
- Tapa blanda
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino UnidoChiron Media
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EUR 24,33
Envío por EUR 17,95Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
PF. Condición: New.
- Tapa blanda
Librería: Buchhandlung Neues Leben, Salzburg, S, AustriaBuchhandlung Neues Leben
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EUR 10,00
Envío por EUR 14,50Se envía de Austria a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
kart. Condición: Gut. 2., überarbeitete Auflage. 138 S. : 13 Ill. u. graph. Darst. ; 22 cm Einband etwas lagerspurig, insgesamt jedoch guter, ordentlich, innen nahezu ungelesener Zustand. Sprache: Deutsch Gewicht in Gramm: 226.
Más imágenes- Tapa blanda
Librería: Bookbot, Prague, Republica ChecaBookbot
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EUR 3,80
Envío por EUR 20,99Se envía de Republica Checa a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Softcover. Condición: Fine. Gebrochener Buchrücken / Seiten oder Softcover umgeknickt.
- Tapa blanda
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 27,30
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Condición: New.
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Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino UnidoGreatBookPricesUK
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EUR 30,63
Envío por EUR 17,38Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: As New. Unread book in perfect condition.
Editorial: Heidelberg. Karl. F.Haug Verlag.
Librería: Antiquariaat Ovidius, Bredevoort, HolandaAntiquariaat Ovidius
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EUR 7,00
Envío por EUR 22,00Se envía de Holanda a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Condición: Gebraucht / Used. 2., überarbeitete Auflage. 1984. Pap. 401pp. 8°. Index.
Editorial: La Revue Yougoslave - Belgrade
- Tapa dura
Librería: Libreria Tara, Roma, RM, ItaliaLibreria Tara
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EUR 8,80
Envío por EUR 35,00Se envía de Italia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Condición: buono. Fotografia Fine arts Photography CONDIZIONI ACCETTABILI Volume in lingua francese - Piccola mancanza alla sovraccoperta - in 4°.
Más imágenes- Tapa blanda
Librería: preigu, Osnabrück, Alemaniapreigu
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EUR 18,99
Envío por EUR 70,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Taschenbuch. Condición: Neu. Gate Stack Engineering for Emerging Polarization based Non-volatile Memories | Milan Pesic | Taschenbuch | 152 S. | Englisch | 2017 | Books on Demand GmbH | EAN 9783744867887 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter:… preigu.
- Tapa blanda
Librería: CSG Onlinebuch GMBH, Darmstadt, AlemaniaCSG Onlinebuch GMBH
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EUR 3,87
Envío por EUR 95,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Broschiert. Condición: Sehr gut. Gebraucht - Sehr gut.
Editorial: Haug, Heidelb., 1984
Librería: Antiquariat Johannes Herlyn, Freiburg, AlemaniaAntiquariat Johannes Herlyn
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EUR 24,00
Envío por EUR 20,00Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
broschiert/Taschenbuch. 401 S. OKt. Außen etwas gealtert; N.a.V.; innen gut. Auflage: 2 ISBN 3776007494 /// 2., überarb.Aufl.
Editorial: La Revue Yougoslave - Belgrade 1900
Librería: Libreria Tara, Roma, RM, ItaliaLibreria Tara
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EUR 16,50
Envío por EUR 35,00Se envía de Italia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Condición: buono. Art - Photography OTTIME CONDIZIONI Volume in lingua francesein 4°.
- Tapa blanda
Librería: Bücher Eule, Bern, SuizaBücher Eule
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EUR 23,00
Envío por EUR 45,00Se envía de Suiza a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
8°. 118 S., broschiert (gut erhalten).
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de AmericaPBShop.store US
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EUR 30,64
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PAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
- Tapa blanda
Librería: Bücher Eule, Bern, SuizaBücher Eule
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EUR 26,00
Envío por EUR 45,00Se envía de Suiza a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
8°. 274 S., einige Abbildungen, broschiert (ohne Titelblatt; Einband leicht berieben).
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino UnidoPBShop.store UK
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EUR 29,11
Envío por EUR 3,81Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
PAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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EUR 18,99
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The hafnium based ferroelectric memories offer a low power consumption, ultra-fast operation, non-volatile retention as well as the small relative cell size as the main requirements for future memories. These remarkable properties o…f ferroelectric memories make them promising candidates for non-volatile memories that would bridge the speed gap between fast logic and slow off-chip, long term storage. Even though the retention of hafnia based ferroelectric memories can be extrapolated to a ten-year specification target, they suffer from a rather limited endurance. Therefore, this work targets relating the field cycling behavior of hafnia based ferroelectric memories to the physical mechanisms taking place within the film stack. Establishing a correlation between the performance of the device and underlying physical mechanisms is the first step toward understanding the device and engineering guidelines for novel, superior devices.In the frame of this work, an in-depth ferroelectric and dielectric characterization, analysis and TEM study was combined with comprehensive modeling approach. Drift and diffusion based vacancy redistribution was found as the main cause for the phase transformation and consequent increase of the remnant polarization, while domain pinning and defect generation is identified to be responsible for the device fatigue. Finally, based on Landau theory, a simple way to utilize the high endurance strength of anti-ferroelectric (AFE) materials and achieve non-volatility in state-of-the-art DRAM stacks was proposed and the fabrication of the world's first non-volatile AFE-RAM is reported. These findings represent an important milestone and pave the way toward a commercialization of (anti)ferroelectric non-volatile memories based on simple binary-oxides. 152 pp. Englisch.
Idioma: Lenguajes múltiples
- Tapa blanda
- Primera edición
Librería: AMSELBEIN - Antiquariat und Neubuch, Bad Fischau - Brunn, AustriaAMSELBEIN - Antiquariat und Neubuch
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EUR 110,00
Envío por EUR 72,00Se envía de Austria a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Softcover. Condición: Sehr gut. 1000 Exempl. Einband berieben, sonst sehr gut.
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: moluna, Greven, Alemaniamoluna
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EUR 18,99
Envío por EUR 48,99Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The hafnium based ferroelectric memories offer a low power consumption, ultra-fast operation, non-volatile retention as well as the small relative cell size as the main requirements for future memories. These remarkab…le properties of ferroelectric memories .
Idioma: Inglés
Editorial: Bod - Books On Demand, Bod - Books On Demand 2017
- Tapa blanda
- Impresión bajo demanda
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AlemaniaAHA-BUCH GmbH
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EUR 18,99
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Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The hafnium based ferroelectric memories offer a low power consumption, ultra-fast operation, non-volatile retention as well as the small relative cell size as the main requirements for future memories. These remarkable properties of fer…roelectric memories make them promising candidates for non-volatile memories that would bridge the speed gap between fast logic and slow off-chip, long term storage. Even though the retention of hafnia based ferroelectric memories can be extrapolated to a ten-year specification target, they suffer from a rather limited endurance. Therefore, this work targets relating the field cycling behavior of hafnia based ferroelectric memories to the physical mechanisms taking place within the film stack. Establishing a correlation between the performance of the device and underlying physical mechanisms is the first step toward understanding the device and engineering guidelines for novel, superior devices.In the frame of this work, an in-depth ferroelectric and dielectric characterization, analysis and TEM study was combined with comprehensive modeling approach. Drift and diffusion based vacancy redistribution was found as the main cause for the phase transformation and consequent increase of the remnant polarization, while domain pinning and defect generation is identified to be responsible for the device fatigue. Finally, based on Landau theory, a simple way to utilize the high endurance strength of anti-ferroelectric (AFE) materials and achieve non-volatility in state-of-the-art DRAM stacks was proposed and the fabrication of the world's first non-volatile AFE-RAM is reported. These findings represent an important milestone and pave the way toward a commercialization of (anti)ferroelectric non-volatile memories based on simple binary-oxides.
