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Il vampiro. Storia vera
Librería: Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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«Una minima ordalia». Carteggio 1952-1994 (Archivio Franco Fortini. Carteggi)
Librería: libreriauniversitaria.it, Occhiobello, RO, Italia
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 19,00
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Il vampiro. Storia vera
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Arcoiris (10 ottobre 2020), 2020
ISBN 10: 8899877416 ISBN 13: 9788899877415
Librería: Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 38,85
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Il vampiro. Storia vera
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Arcoiris (10 ottobre 2020), 2020
ISBN 10: 8899877416 ISBN 13: 9788899877415
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 38,86
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Il vampiro. Storia vera
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 40,65
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«Una minima ordalia». Carteggio 1952-1994
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 42,45
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La Curva di Phillips (Italian Edition)
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Accademiche Italiane, 2015
ISBN 10: 3639771303 ISBN 13: 9783639771305
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,41
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications (Springer Series in Advanced Microelectronics, 47)
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 115,07
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 131,05
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 145,28
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 145,89
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 187.
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Reliability of High Mobility Sige Channel Mosfets for Future Cmos Applications
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 154,55
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 2014 edition. 187 pages. 9.25x6.25x0.70 inches. In Stock.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 95,15
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications | Jacopo Franco (u. a.) | Taschenbuch | xix | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9789402402056 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Netherlands, Springer, 2013
ISBN 10: 9400776624 ISBN 13: 9789400776623
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 111,53
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5Å, a 10 year reliable device operation cannot be guaranteed anymore due to severe Negative Bias Temperature Instability.This book focuses on the reliability of the novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. This technology is being considered for possible implementation in next CMOS technology nodes, thanks to its benefit in terms of carrier mobility and device threshold voltage tuning. We observe that it also opens a degree of freedom for device reliability optimization. By properly tuning the device gate stack, sufficiently reliable ultra-thin EOT devices with a 10 years lifetime at operating conditions are demonstrated.The extensive experimental datasets collected on a variety of processed 300mm wafers and presented here show the reliability improvement to be process - and architecture-independent and, as such, readily transferable to advanced device architectures as Tri-Gate (finFET) devices. We propose a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.The improved reliability properties here discussed strongly support (Si)Ge technology as a clear frontrunner for future CMOS technology nodes.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 112,77
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5Å, a 10 year reliable device operation cannot be guaranteed anymore due to severe Negative Bias Temperature Instability.This book focuses on the reliability of the novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. This technology is being considered for possible implementation in next CMOS technology nodes, thanks to its benefit in terms of carrier mobility and device threshold voltage tuning. We observe that it also opens a degree of freedom for device reliability optimization. By properly tuning the device gate stack, sufficiently reliable ultra-thin EOT devices with a 10 years lifetime at operating conditions are demonstrated.The extensive experimental datasets collected on a variety of processed 300mm wafers and presented here show the reliability improvement to be process - and architecture-independent and, as such, readily transferable to advanced device architectures as Tri-Gate (finFET) devices. We propose a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.The improved reliability properties here discussed strongly support (Si)Ge technology as a clear frontrunner for future CMOS technology nodes.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 83,61
Envío por EUR 105,00
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Añadir al carritoCondición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5Å, a 10 year reliable device operation cannot be guaranteed anymore due to severe Negative Bias Temperature Instability.This book focuses on the reliability of the novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. This technology is being considered for possible implementation in next CMOS technology nodes, thanks to its benefit in terms of carrier mobility and device threshold voltage tuning. We observe that it also opens a degree of freedom for device reliability optimization. By properly tuning the device gate stack, sufficiently reliable ultra-thin EOT devices with a 10 years lifetime at operating conditions are demonstrated.The extensive experimental datasets collected on a variety of processed 300mm wafers and presented here show the reliability improvement to be process - and architecture-independent and, as such, readily transferable to advanced device architectures as Tri-Gate (finFET) devices. We propose a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.The improved reliability properties here discussed strongly support (Si)Ge technology as a clear frontrunner for future CMOS technology nodes.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications (Springer Series in Advanced Microelectronics (47))
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 171,04
Envío por EUR 28,83
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Libro 52: Springer Series in Advanced MicroelectronicsLibrería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 202,98
Envío por EUR 2,30
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
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Reliability of High Mobility Sige Channel Mosfets for Future Cmos Applications
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 185,01
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. reprint edition. 208 pages. 9.30x6.20x0.47 inches. In Stock.
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Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications (Springer Series in Advanced Microelectronics, 47)
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 192,41
Envío por EUR 28,83
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Franco Gentilini.: Catalogo della mostra tenuta a Roma, Palazzo Barberini, nel 1965.
Publicado por Edizioni Ente premi, Roma., 1965
Librería: Studio Bibliografico Adige, Trento, TN, Italia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 12,50
Envío por EUR 39,00
Se envía de Italia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carrito30 p., [33] c. di tav., 24 cm, bross.
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Il vampiro. Storia vera
Librería: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 30,24
Envío por EUR 43,57
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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La Curva di Phillips
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Accademiche Italiane, 2015
ISBN 10: 3639771303 ISBN 13: 9783639771305
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 26,05
Envío por EUR 48,99
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Il vampiro. Storia vera
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Arcoiris (10 ottobre 2020), 2020
ISBN 10: 8899877416 ISBN 13: 9788899877415
Librería: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 36,09
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Añadir al carritoPaperback. Condición: New. Michele Carnielli Ilustrador.
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La Curva di Phillips | Relazione tra il tasso di inflazione e il tasso di disoccupazione
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Accademiche Italiane, 2015
ISBN 10: 3639771303 ISBN 13: 9783639771305
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 26,30
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. La Curva di Phillips | Relazione tra il tasso di inflazione e il tasso di disoccupazione | Jacopo Franco Citterio | Taschenbuch | 56 S. | Italienisch | 2015 | Edizioni Accademiche Italiane | EAN 9783639771305 | Verantwortliche Person für die EU: OmniScriptum GmbH & Co. KG, Bahnhofstr. 28, 66111 Saarbrücken, info[at]akademikerverlag[dot]de | Anbieter: preigu.
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Il vampiro. Storia vera
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Arcoiris (10 ottobre 2020), 2020
ISBN 10: 8899877416 ISBN 13: 9788899877415
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 36,11
Envío por EUR 74,95
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New. Michele Carnielli Ilustrador.
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Il vampiro. Storia vera
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 37,14
Envío por EUR 74,95
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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«Una minima ordalia». Carteggio 1952-1994
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 38,85
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LE METAMORFOSI RIDOTTE DA GIO. ADREA DELL' ANGUILLARA IN OTTAVA RIMA. CON LE ANNOTAZIONI DI M. GIOSEPPE HOROLOGGI E GL ARGOMENTI E POSTILLE DI M. FRANCESCO TURCHI.
Idioma: Italiano
Publicado por BERNARDO GIUNTI, Vinegia, 1584
Librería: Libri Antichi Arezzo, AREZZO, AR, Italia
Calificación del vendedor: 1 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 1.100,00
Envío por EUR 38,00
Se envía de Italia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoRilegato. Condición: ottimo. JACOPO FRANCO Ilustrador. PRIMA EDIZIONE GIUNTINA. OVIDIUS. LE METAMORFOSI RIDOTTE DA GIO. ADREA DELL' ANGUILARA IN OTTAVA RIMA. CON LE ANNOTAZIONI DI M. GIOSEPPE HOROLOGGI E GL ARGOMENTI E POSTILLE DI M. FRANCESCO TURCHI. Vinegia, Bernardo Giunti 1584.[Figurato prima edizione Giuntina] ( cm. 24 ) bella piena pergamena XVIII sec. tassello in oro al dorso, tagli spruzzati. --- cc. 8 nn., pp. 547 + 1p. bianca. Magnifico frontis figurato e 15 bellissime tavv. a piena pagina entro superba cornice, argomenti ai canti entro ricca cornice allegorica. Il tutto inciso in rame da Jacopo Franco, allievo di Agostino Carraci. Prima tiratura e prima edizione giuntina di questa celebre opera, ben superiore alla seconda tiratura con rami stanchi e altre differenze ampiamente descritte in CAMERINI, MORTIMER, GAMBA E GRAESSE E BRUNET il quale la considera " La plus recherchèe des anciennes editions.". Antico restauro integrativo, settecentesco, in basso alle prime otto carte, per strappo, con perdita di molte parole, dell' angolo basso della prima incisione e dell' angolo del frontis che è stato anche foderato. Alcuni lievi aloni all' inizio e in fine, peraltro esemplare molto bello e fresco con incisioni nitidissime e sempre valido per l' ingente apparato iconografico. Ex libris nobiliare alla sguardia. --- CAMERINI p. 471 n° 28;--- GAMBA 1556;--- CHOIX 4947;--- PAITONI III 57;--- MORTIMER 343;--- BM. STC. 482;--- GRAESSE V 94;--- BRUNET IV 294.[f16].
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La Curva di Phillips
Idioma: Italiano
Publicado por Edizioni Accademiche Italiane, 2015
ISBN 10: 3639771303 ISBN 13: 9783639771305
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 32,24
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