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The 1st International Conference On Computational Engineering And Intelligent Systems
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 46,00
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The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems (Hardback or Cased Book)
Librería: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 48,35
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Añadir al carritoHardback or Cased Book. Condición: New. The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems. Book.
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Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsIdioma: Inglés
Publicado por Berlin ; Heidelberg : Springer, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Librería: Kepler-Buchversand Huong Bach, Weil der Stadt, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 29,00
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Añadir al carritoGr.-8°, gebundene Ausgabe. Condición: Sehr gut. XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mechanism in Thin Oxides / of MOS Devices / Experimental Techniques / Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribution Determination / Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide / Index. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 315.
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The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 50,54
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The 1st International Conference On Computational Engineering And Intelligent Systems
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,44
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The 2nd International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,97
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The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 49,78
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The 1st International Conference On Computational Engineering And Intelligent Systems
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 48,30
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The 2nd International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 58,62
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The 1st International Conference On Computational Engineering And Intelligent Systems
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 55,65
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Transport In Metal-oxide-semiconductor Structures: Mobile Ions Effects On The Oxide Properties (engineering Materials)
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 74,87
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The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 88,13
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 110,91
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 112,60
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 149,89
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 2011 edition. 117 pages. 9.25x6.10x0.28 inches. In Stock.
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Transport in Metal-oxide-semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 151,51
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 104 pages. 9.00x6.25x0.75 inches. In Stock.
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, 2013
ISBN 10: 3642266886 ISBN 13: 9783642266881
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures | Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 95,70
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures | Mobile Ions Effects on the Oxide Properties | Hamid Bentarzi | Taschenbuch | xiv | Englisch | 2013 | Springer Vieweg | EAN 9783642266881 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 141,64
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Jan 2011, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Neuware -This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 120 pp. Englisch.
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Libro 7 de 110: Engineering MaterialsLibrería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
OportunidadEUR 64,31
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Añadir al carritoCondición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 186,43
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 186,42
Envío por EUR 17,33
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 201,20
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 212,65
Envío por EUR 2,27
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 213,44
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 239,81
Gastos de envío gratis
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799840271 ISBN 13: 9781799840275
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 243,56
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Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Idioma: Inglés
Publicado por Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 260,63
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