Modeling and Characterization of RF and Microwave Power Fets
"Sinopsis" puede pertenecer a otra edición de este libro.
Charlotte y Peter Fiell son dos autoridades en historia, teoría y crítica del diseño y han escrito más de sesenta libros sobre la materia, muchos de los cuales se han convertido en éxitos de ventas. También han impartido conferencias y cursos como profesores invitados, han comisariado exposiciones y asesorado a fabricantes, museos, salas de subastas y grandes coleccionistas privados de todo el mundo. Los Fiell han escrito numerosos libros para TASCHEN, entre los que se incluyen 1000 Chairs, Diseño del siglo XX, El diseño industrial de la A a la Z, Scandinavian Design y Diseño del siglo XXI.
"Sobre este título" puede pertenecer a otra edición de este libro.
Librería: Optimon Books, Gravesend, KENT, Reino Unido
Paperback. Condición: Fair. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF tran. Nº de ref. del artículo: 442054
Cantidad disponible: 1 disponibles
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Condición: New. Nº de ref. del artículo: 12606163-n
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Condición: New. Nº de ref. del artículo: I-9780521336178
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Condición: As New. Unread book in perfect condition. Nº de ref. del artículo: 12606163
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Paperback. Condición: New. Nº de ref. del artículo: 6666-IUK-9780521336178
Cantidad disponible: 10 disponibles
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Condición: New. Nº de ref. del artículo: 12606163-n
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Condición: New. In. Nº de ref. del artículo: ria9780521336178_new
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Condición: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, black & white illustrations. BIC Classification: TJFD5; TJFN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 245 x 171 x 21. Weight in Grams: 634. . 2011. 1st Edition. paperback. . . . . Nº de ref. del artículo: V9780521336178
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Condición: As New. Unread book in perfect condition. Nº de ref. del artículo: 12606163
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Paperback. Condición: New. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. Nº de ref. del artículo: LU-9780521336178
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles