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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs Paperback (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series) - Tapa blanda
Sinopsis
This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs.
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Acerca del autor
Charlotte y Peter Fiell son dos autoridades en historia, teoría y crítica del diseño y han escrito más de sesenta libros sobre la materia, muchos de los cuales se han convertido en éxitos de ventas. También han impartido conferencias y cursos como profesores invitados, han comisariado exposiciones y asesorado a fabricantes, museos, salas de subastas y grandes coleccionistas privados de todo el mundo. Los Fiell han escrito numerosos libros para TASCHEN, entre los que se incluyen 1000 Chairs, Diseño del siglo XX, El diseño industrial de la A a la Z, Scandinavian Design y Diseño del siglo XXI.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
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Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
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Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
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Cambridge University Press, 2011
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ISBN 13: 9780521336178
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
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Cambridge University Press 2011-06-30, 2011
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power Fets
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Cambridge University Press, 2011
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Kartoniert / Broschiert. Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples.Inhaltsver. Nº de ref. del artículo: 446932254
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (Paperback)
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Cambridge University Press, Cambridge, 2011
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Paperback. Condición: new. Paperback. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability. Nº de ref. del artículo: 9780521336178
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power Fets
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Cambridge University Press, 2011
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
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Cambridge University Press, 2011
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (Paperback)
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Cambridge University Press, Cambridge, 2011
ISBN 10: 0521336171
ISBN 13: 9780521336178
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Paperback
Librería: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australia
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Paperback. Condición: new. Paperback. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability. Nº de ref. del artículo: 9780521336178
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