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9789401049009 - Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale: 243 (NATO Science Series E:) (13 resultados)
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 228,01
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale (NATO Science Series E:, 243)
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 230,36
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 223,28
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale (NATO Science Series E:, 243)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 223,29
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 220,70
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Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on The Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale, Riva del Garda, Italy, August 31-September 2, 1992 The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semic.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 278,03
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 272 Index.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-nanometer Scale
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 299,29
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 272 pages. 9.25x6.10x0.62 inches. In Stock.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 302,32
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale (Nato Science Series E: (243))
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 292,81
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 328,95
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 292,69
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 266,18
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 272.
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Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 270,31
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Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND pp. 272.
