Isbn: 9783709103814 - strain-induced effects in advanced mosfets: 0 (computational microelectronics) (13 resultados)
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Editorial: Springer, 2010
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2010
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Editorial: Springer, 2010
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Editorial: Springer, 2010
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Editorial: Springer, 2010
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2010
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Librería: Biblios, frankfurt am main, HESSE, AlemaniaBiblios
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Vienna, 2010
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Editorial: Springer, 2010
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Editorial: Springer, 2010
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Editorial: Springer Verlag, 2010
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2010
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.…
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Editorial: Springer Vienna Nov 2010, 2010
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Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.…
Idioma: Inglés
Editorial: Springer Vienna, Springer Vienna Nov 2010, 2010
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 268 pp. Englisch.…
