9783709103814 - strain-induced effects in advanced mosfets: 0 (computational microelectronics) de sverdlov, viktor (13 resultados)
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Editorial: Springer, 2010
Serie: Computational Microelectronics, Libro 3 de 17. Libro 3 de 17 - Computational Microelectronics
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Hardcover. Condición: Fair. Verschmutzung / Wasserschaden; Abnutzung / Risse - leicht; Gebrochener Buchrücken / Seiten oder Softcover umgeknickt. Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all…relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Editorial: Springer Vienna, 2010
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Editorial: Springer Vienna, Springer Vienna, 2010
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Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The su…bband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer Verlag, 2010
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Editorial: Springer, 2010
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Editorial: Springer Vienna Nov 2010, 2010
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in… silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.
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Editorial: Springer Vienna, Springer Vienna Nov 2010, 2010
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Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in sil…icon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 268 pp. Englisch.
