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9783709103814 - Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs: 0 (Computational Microelectronics) de Sverdlov, Viktor (12 resultados)
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Computational Microelectronics: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Bookbot, Prague, Republica Checa
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Fair. Spuren von Feuchtigkeit / Nässe; Leichte Rillen / Abschürfungen / Risse / Knicke; Gebrochener Buchrücken. Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 138,89
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 136,16
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 187,34
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Vienna, Springer Vienna, 2010
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Strain-induced Effects in Advanced Mosfets
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsLibrería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
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EUR 235,93
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 266 pages. 9.69x6.77x0.71 inches. In Stock.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Vienna Nov 2010, 2010
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. 268 pp. Englisch.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Libro 3 de 17: Computational MicroelectronicsIdioma: Inglés
Publicado por Springer Vienna, Springer Vienna Nov 2010, 2010
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 160,49
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 268 pp. Englisch.
