Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs: 0 (Computational Microelectronics) - Tapa dura
Libro 3 de 17: Computational Microelectronics
Sinopsis
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effectson transport is an important task of modern simulation tools required fordevice design. The book covers all relevant modeling approaches used todescribe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductorfilms is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotentialmethods. A rigorous overview of transport modeling in straineddevices is given
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Computational Microelectronics: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
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