9781402011948 - towards the first silicon laser: 93 (nato science series ii: mathematics, physics and chemistry, 93) de gaponenko, sergey; pavesi, lorenzo; negro, luca dal (16 resultados)
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
- Tapa blanda
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Kluwer Academic Publishers, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Condición: New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in Trento, Italy, 21-26 September 2002 Editor(s): Pavesi, Lorenzo; Gaponenko, Sergey V.; Dal Negro, Luca. Series: NATO Science Series II. Num Pages: 496 pages, biography. BIC Classification: PHJ; TTBL. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgradu…ate, Research & Scholarly. Dimension: 240 x 160 x 25. Weight in Grams: 694. . 2003. Softcover reprint of the original 1st ed. 2003. Paperback. . . . .
Idioma: Inglés
Editorial: Kluwer Academic Publishers, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Silicon, the leading material in microelectronics during the last four decades, also promises to be the key material in the future. Despite many claims that silicon technology has reached fundamental limits, the performance of silicon microelectron…ics continues to improve steadily. The same holds for almost all the applications for which Si was considered to be unsuitable. The main exception to this positive trend is the silicon laser, which has not been demonstrated to date. The main reason for this comes from a fundamental limitation related to the indirect nature of the Si band-gap. In the recent past, many different approaches have been taken to achieve this goal: dislocated silicon, extremely pure silicon, silicon nanocrystals, porous silicon, Er doped Si-Ge, SiGe alloys and multiquantum wells, SiGe quantum dots, SiGe quantum cascade structures, shallow impurity centers in silicon and Er doped silicon. All of these are abundantly illustrated in the present book.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer Netherlands Mrz 2003, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Silicon, the leading material in microelectronics during the last four decades, also promises to be the key material in the future. Despite many claims that silicon technology has reached fundamental limits, the performance of silic…on microelectronics continues to improve steadily. The same holds for almost all the applications for which Si was considered to be unsuitable. The main exception to this positive trend is the silicon laser, which has not been demonstrated to date. The main reason for this comes from a fundamental limitation related to the indirect nature of the Si band-gap. In the recent past, many different approaches have been taken to achieve this goal: dislocated silicon, extremely pure silicon, silicon nanocrystals, porous silicon, Er doped Si-Ge, SiGe alloys and multiquantum wells, SiGe quantum dots, SiGe quantum cascade structures, shallow impurity centers in silicon and Er doped silicon. All of these are abundantly illustrated in the present book. 500 pp. Englisch.
Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Idioma: Inglés
Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Editorial: Springer, 2003
Serie: Libro 57 de 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
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Taschenbuch. Condición: Neu. Towards the First Silicon Laser | Lorenzo Pavesi (u. a.) | Taschenbuch | xiv | Englisch | 2003 | Springer | EAN 9781402011948 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Editorial: Springer, Springer Mär 2003, 2003
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Silicon, the leading material in microelectronics during the last four decades, also promises to be the key material in the future. Despite many claims that silicon technology has reached fundamental limits, the performance of silicon m…icroelectronics continues to improve steadily. The same holds for almost all the applications for which Si was considered to be unsuitable. The main exception to this positive trend is the silicon laser, which has not been demonstrated to date. The main reason for this comes from a fundamental limitation related to the indirect nature of the Si band-gap. In the recent past, many different approaches have been taken to achieve this goal: dislocated silicon, extremely pure silicon, silicon nanocrystals, porous silicon, Er doped Si-Ge, SiGe alloys and multiquantum wells, SiGe quantum dots, SiGe quantum cascade structures, shallow impurity centers in silicon and Er doped silicon. All of these are abundantly illustrated in the present book.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 500 pp. Englisch.
