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9781032470276 - Elements of Electromigration: Electromigration in 3D IC technology de Tu, King-Ning; Liu, Yingxia (15 resultados)
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Elements of Electromigration : Electromigration in 3d Ic Technology
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Elements of Electromigration : Electromigration in 3d Ic Technology
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Elements of Electromigration: Electromigration in 3D IC technology
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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Elements of Electromigration : Electromigration in 3d Ic Technology
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Elements of Electromigration: Electromigration in 3D IC technology
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
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Elements of Electromigration : Electromigration in 3d Ic Technology
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Elements of Electromigration: Electromigration in 3D IC technology
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
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Elements of Electromigration: Electromigration in 3D IC technology
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Elements of Electromigration: Electromigration in 3D IC technology
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Elements of Electromigration: Electromigration in 3d Ic Technology
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Elements of Electromigration
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
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Elements of Electromigration
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
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Elements of Electromigration
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this invaluable resource for graduate students and practicing professionals, Tu and Liu provide a comprehensive account of electromigration and give a practical guide on how to manage its effects in microelectronic devices, especially newer devices that make use of 3D architectures.In the era of big data and artificial intelligence, next-generation microelectronic devices for consumers must be smaller, consume less power, cost less, and, most importantly, have higher functionality and reliability than ever before. However, with miniaturization, the average current density increases, and so does the probability of electromigration failure. This book covers all critical elements of electromigration, including basic theory, various failure modes induced by electromigration, methods to prevent failure, and equations for predicting mean-time-to-failure. Furthermore, effects such as stress, Joule heating, current crowding, and oxidation on electromigration are covered, and the new and modified mean-time-to-failure equations based on low entropy production are given. Readers will be able to apply this information to the design and application of microelectronic devices to minimize the risk of electromigration-induced failure in microelectronic devices.This book essential for anyone who wants to understand these critical elements and minimize their effects. It is particularly valuable for both graduate students of electrical engineering and materials science engineering and engineers working in the semiconductor and electronic packaging technology industries. 144 pp. Englisch.
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Elements of Electromigration
Librería: moluna, Greven, Alemania
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Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. King-Ning Tu is Professor Emeritus at UCLA and Chair Professor of Materials and Electrical Engineering of City University of Hong Kong. Professor Tu received his BSc degree from National Taiwan University, MSc degree from Brown University, and PhD.
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Elements of Electromigration : Electromigration in 3D IC technology
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this invaluable resource for graduate students and practicing professionals, Tu and Liu provide a comprehensive account of electromigration and give a practical guide on how to manage its effects in microelectronic devices, especially newer devices that make use of 3D architectures.In the era of big data and artificial intelligence, next-generation microelectronic devices for consumers must be smaller, consume less power, cost less, and, most importantly, have higher functionality and reliability than ever before. However, with miniaturization, the average current density increases, and so does the probability of electromigration failure. This book covers all critical elements of electromigration, including basic theory, various failure modes induced by electromigration, methods to prevent failure, and equations for predicting mean-time-to-failure. Furthermore, effects such as stress, Joule heating, current crowding, and oxidation on electromigration are covered, and the new and modified mean-time-to-failure equations based on low entropy production are given. Readers will be able to apply this information to the design and application of microelectronic devices to minimize the risk of electromigration-induced failure in microelectronic devices.This book essential for anyone who wants to understand these critical elements and minimize their effects. It is particularly valuable for both graduate students of electrical engineering and materials science engineering and engineers working in the semiconductor and electronic packaging technology industries.
