selmane (26 resultados)

Paperback. Condición: Brand New. 290 pages. French language. 8.03x5.28x0.73 inches. In Stock.

Paperback. Condición: Brand New. 168 pages. French language. 9.45x6.69x0.38 inches. In Stock.

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Taschenbuch. Condición: Neu. Initiation à la physique des semi conducteurs | Cours et exercices | Naceur Selmane | Taschenbuch | Französisch | 2020 | Presses Académiques Francophones | EAN 9783841632142 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condición: Neu. Initiation à la physique des composants à semi conducteurs | Cours et exercices | Naceur Selmane | Taschenbuch | Französisch | 2020 | Presses Académiques Francophones | EAN 9783841631862 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

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Taschenbuch. Condición: Neu. Silicium poreux | Etude, élaboration et caractérisation | Naceur Selmane | Taschenbuch | Französisch | 2021 | Presses Académiques Francophones | EAN 9783841632678 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Cet ouvrage est un recueil de cours et d'exercices de la physique des semi conducteurs dont l'objectif est d'illustrer toutes les notions théoriques enseignées, il est principalement destiné aux des étudiants du master en micro électronique. L'étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques. Le premier chapitre traite des notions de cristallographie. Leschapitres 2 et 3 présentent les théories des bandes d'énergie et les théories de la conductivité électrique et équations de transport dans un Sc. Le chapitre4 traite les phénomènes de génération et de recombinaison dans un Sc. La jonction PN, qui résulte d'un contact dans un même semiconducteur de deux régions de types différents, constitue une structure de base dont l'étude détaillée est développée dans le chapitre 5.Le chapitre 6 est consacré à la diode Schottky, il traite le contact Metal semi conducteur et sa polarisation. Le dernier chapitre présente une introduction aux transistors à effet champs,Cet ouvrage se termine par des exercices d'application directe et leur correction simplifiée et d'autre série de problèmes de synthèse. 128 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Cet ouvrage est un recueil de cours et d'exercices de la physique des semi conducteurs dont l'objectif d'illustrer toutes les notions théoriques enseignées, il est principalement destiné aux des étudiants du master en micro électronique. L'étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques, le premier chapitre traite des notions de cristallographie.Chapitres 2 et 3 présentent les théories des bandes d'énergie, theories de la conductivité électrique et équations de transport dans un Sc. Chapitre 4 traite les phénomènes de génération et de recombinaison dans un Sc. La jonction PN, qui résulte d'un contact dans un même semiconducteur de deux régions de types différents, constitue une structure de base dont l'étude détaillée est développée dans le chapitre 5, le chapitre 6 est consacré sur la diode Schottky, il traite le contact Metal - semi conducteur et la polarisation de cette diode. Le dernier chapitre présente une introduction aux transistors à effet champ, Cet ouvrage se termine par des exercices d'application directe et leur correction simplifiée et une série des problème de synthèse. 112 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées : Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation : DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux. 104 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Les matériaux choisis pour l'application photovoltaïque doivent répondre à certains critères imposés par l'application visée, ils doivent avoir une bande interdite d'énergie adaptée au rayonnement solaire (1.1-1.8 eV), et un fort coefficient d'absorption optique (¿>105 cm-1) dans la gamme de spectre solaire, afin de présenter une grande efficacité de conversion d'énergie. Ainsi beaucoup de matériaux sont en voie d'émerger dans ce domaine, parmi ceux-ci nous citons les chalcogenures de métaux de transition. Le trisulfure de bismuth Bi2S3 est un matériau semiconducteur faisant partie de cette famille, il présente des propriétés électronique, électrique et optique intéressantes pour les applications optoélectroniques notamment le domaine photovoltaïque. La bande interdite du Bi2S3 est de nature directe et la valeur de sa largeur est Eg =1.66eV. L'objectif de nôtre travail est double. Tout d'abord, la mise au point de matériaux Semiconducteurs sous forme de couches minces, possédant les propriétés pré requises pour leurs utilisations comme couches absorbantes dans des cellules solaires. Le second objectif est d'utiliser des techniques d'élaboration simples et peu coûteuses.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 128 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Les matériaux choisis pour l¿application photovoltaïque doivent répondre à certains critères imposés par l¿application visée, ils doivent avoir une bande interdite d¿énergie adaptée au rayonnement solaire (1.1-1.8 eV), et un fort coefficient d¿absorption optique (¿>105 cm-1) dans la gamme de spectre solaire, afin de présenter une grande efficacité de conversion d¿énergie. Ainsi beaucoup de matériaux sont en voie d¿émerger dans ce domaine, parmi ceux-ci nous citons les chalcogenures de métaux de transition. Le trisulfure de bismuth Bi2S3 est un matériau semiconducteur faisant partie de cette famille, il présente des propriétés électronique, électrique et optique intéressantes pour les applications optoélectroniques notamment le domaine photovoltaïque. La bande interdite du Bi2S3 est de nature directe et la valeur de sa largeur est Eg =1.66eV. L¿objectif de nôtre travail est double. Tout d¿abord, la mise au point de matériaux Semiconducteurs sous forme de couches minces, possédant les propriétés pré requises pour leurs utilisations comme couches absorbantes dans des cellules solaires. Le second objectif est d¿utiliser des techniques d'élaboration simples et peu coûteuses.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Cet ouvrage est un recueil de cours et d'exercices de la physique des semi conducteurs dont l'objectif est d'illustrer toutes les notions théoriques enseignées, il est principalement destiné aux des étudiants du master en micro électronique. L'étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques. Le premier chapitre traite des notions de cristallographie. Leschapitres 2 et 3 présentent les théories des bandes d'énergie et les théories de la conductivité électrique et équations de transport dans un Sc. Le chapitre4 traite les phénomènes de génération et de recombinaison dans un Sc. La jonction PN, qui résulte d'un contact dans un même semiconducteur de deux régions de types différents, constitue une structure de base dont l'étude détaillée est développée dans le chapitre 5.Le chapitre 6 est consacré à la diode Schottky, il traite le contact Metal semi conducteur et sa polarisation. Le dernier chapitre présente une introduction aux transistors à effet champs,Cet ouvrage se termine par des exercices d'application directe et leur correction simplifiée et d'autre série de problèmes de synthèse.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 128 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Cet ouvrage est un recueil de cours et d'exercices de la physique des semi conducteurs dont l'objectif d'illustrer toutes les notions théoriques enseignées, il est principalement destiné aux des étudiants du master en micro électronique. L'étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques, le premier chapitre traite des notions de cristallographie.Chapitres 2 et 3 présentent les théories des bandes d'énergie, theories de la conductivité électrique et équations de transport dans un Sc. Chapitre 4 traite les phénomènes de génération et de recombinaison dans un Sc. La jonction PN, qui résulte d'un contact dans un même semiconducteur de deux régions de types différents, constitue une structure de base dont l'étude détaillée est développée dans le chapitre 5, le chapitre 6 est consacré sur la diode Schottky, il traite le contact Metal - semi conducteur et la polarisation de cette diode. Le dernier chapitre présente une introduction aux transistors à effet champ, Cet ouvrage se termine par des exercices d'application directe et leur correction simplifiée et une série des problème de synthèse.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 112 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Cet ouvrage est un recueil de cours et d'exercices de la physique des semi conducteurs dont l'objectif est d'illustrer toutes les notions théoriques enseignées, il est principalement destiné aux des étudiants du master en micro électronique. L'étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques. Le premier chapitre traite des notions de cristallographie. Leschapitres 2 et 3 présentent les théories des bandes d'énergie et les théories de la conductivité électrique et équations de transport dans un Sc. Le chapitre4 traite les phénomènes de génération et de recombinaison dans un Sc. La jonction PN, qui résulte d'un contact dans un même semiconducteur de deux régions de types différents, constitue une structure de base dont l'étude détaillée est développée dans le chapitre 5.Le chapitre 6 est consacré à la diode Schottky, il traite le contact Metal semi conducteur et sa polarisation. Le dernier chapitre présente une introduction aux transistors à effet champs,Cet ouvrage se termine par des exercices d'application directe et leur correction simplifiée et d'autre série de problèmes de synthèse.

Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Cet ouvrage est un recueil de cours et d'exercices de la physique des semi conducteurs dont l'objectif d'illustrer toutes les notions théoriques enseignées, il est principalement destiné aux des étudiants du master en micro électronique. L'étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques, le premier chapitre traite des notions de cristallographie.Chapitres 2 et 3 présentent les théories des bandes d'énergie, theories de la conductivité électrique et équations de transport dans un Sc. Chapitre 4 traite les phénomènes de génération et de recombinaison dans un Sc. La jonction PN, qui résulte d'un contact dans un même semiconducteur de deux régions de types différents, constitue une structure de base dont l'étude détaillée est développée dans le chapitre 5, le chapitre 6 est consacré sur la diode Schottky, il traite le contact Metal - semi conducteur et la polarisation de cette diode. Le dernier chapitre présente une introduction aux transistors à effet champ, Cet ouvrage se termine par des exercices d'application directe et leur correction simplifiée et une série des problème de synthèse.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -L¿étude du silicium poreux a connu un regain d¿intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d¿émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l¿ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d¿électrodéposition et on a pu d¿obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d¿abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d¿électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d¿électrodéposition utilisées : Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation : DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 104 pp. Französisch.

Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées : Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation : DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.