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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyIdioma: Inglés
Publicado por Institute of Physics Publishing, 2018
ISBN 10: 0750315822 ISBN 13: 9780750315821
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyLibrería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyLibrería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyLibrería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyLibrería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics (IPH001)
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
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Wide Bandgap Semiconductors
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
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Wide Bandgap Semiconductors
Librería: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Estados Unidos de America
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyIdioma: Inglés
Publicado por Institute of Physics Publishing, 2018
ISBN 10: 0750315822 ISBN 13: 9780750315821
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyIdioma: Inglés
Publicado por Institute of Physics Publishing, 2018
ISBN 10: 0750315822 ISBN 13: 9780750315821
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyIdioma: Inglés
Publicado por INSTITUTE OF PHYSICS PUB, 2018
ISBN 10: 0750315822 ISBN 13: 9780750315821
Librería: moluna, Greven, Alemania
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics (IPH001)
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyLibrería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
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Wide Bandgap Semiconductors
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
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Wide Bandgap Semiconductors
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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Wide Bandgap Semiconductors
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyIdioma: Inglés
Publicado por IOP Publishing Ltd Aug 2018, 2018
ISBN 10: 0750315822 ISBN 13: 9780750315821
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Neuware - Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics aims to encourage members of the medical profession to join experts from other fields of research in exploring the unique physical properties of magnetic nanoparticles for medical applications.
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Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
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Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
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Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
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Wide Bandgap Semiconductors : Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2010
ISBN 10: 3642079946 ISBN 13: 9783642079948
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The p-n junction was invented in the rst half of the twentieth century and the latter half saw the birth of light emitting diodes: red and yellow/green in the 1960s and yellow in the 1970s. However, theoretical predictions of the improbabilityofsynthesizingp-typewidebandgapsemiconductorscastalong shadow over hopes for devices emitting in the elusive blue part of the elect- magnetic spectrum, which would complete, with red and green, the quest for the primary colors making up white light. At a time when many researchers abandoned their e orts on nitrides, Professor Isamu Akasaki of Nagoya U- versity at this time remained committed to his belief that 'synthesis of high quality GaN crystals would eventually enable p-type doping' and in 1989 he succeeded in fabricating the world's rst GaN p-n junction light emitting diode. Professor Isamu Akasaki kindly accepted our invitation to contribute to this book and describes his journey 'from the nitride wilderness' to the rst experimental results of blue emission from GaN p-n junctions: Japan's major contribution to the development of wide bandgap semiconductor devices. The discovery of blue emission from GaN p-n junctions in 1989 was the major technological turning point during the development of wide bandgap emission devices with wide reaching scienti c, industrial and social impli- tions.
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Wide Bandgap Semiconductors : Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, 2007
ISBN 10: 3540472347 ISBN 13: 9783540472346
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The p-n junction was invented in the rst half of the twentieth century and the latter half saw the birth of light emitting diodes: red and yellow/green in the 1960s and yellow in the 1970s. However, theoretical predictions of the improbabilityofsynthesizingp-typewidebandgapsemiconductorscastalong shadow over hopes for devices emitting in the elusive blue part of the elect- magnetic spectrum, which would complete, with red and green, the quest for the primary colors making up white light. At a time when many researchers abandoned their e orts on nitrides, Professor Isamu Akasaki of Nagoya U- versity at this time remained committed to his belief that 'synthesis of high quality GaN crystals would eventually enable p-type doping' and in 1989 he succeeded in fabricating the world's rst GaN p-n junction light emitting diode. Professor Isamu Akasaki kindly accepted our invitation to contribute to this book and describes his journey 'from the nitride wilderness' to the rst experimental results of blue emission from GaN p-n junctions: Japan's major contribution to the development of wide bandgap semiconductor devices. The discovery of blue emission from GaN p-n junctions in 1989 was the major technological turning point during the development of wide bandgap emission devices with wide reaching scienti c, industrial and social impli- tions.
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Wide Bandgap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Feb 2007, 2007
ISBN 10: 3540472347 ISBN 13: 9783540472346
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Neuware -The p¿n junction was invented in the rst half of the twentieth century and the latter half saw the birth of light emitting diodes: red and yellow/green in the 1960s and yellow in the 1970s. However, theoretical predictions of the improbabilityofsynthesizingp-typewidebandgapsemiconductorscas talong shadow over hopes for devices emitting in the elusive blue part of the elect- magnetic spectrum, which would complete, with red and green, the quest for the primary colors making up white light. At a time when many researchers abandoned their e orts on nitrides, Professor Isamu Akasaki of Nagoya U- versity at this time remained committed to his belief that ¿synthesis of high quality GaN crystals would eventually enable p-type doping¿ and in 1989 he succeeded in fabricating the world¿s rst GaN p¿n junction light emitting diode. Professor Isamu Akasaki kindly accepted our invitation to contribute to this book and describes his journey ¿from the nitride wilderness¿ to the rst experimental results of blue emission from GaN p¿n junctions: Japan¿s major contribution to the development of wide bandgap semiconductor devices. The discovery of blue emission from GaN p¿n junctions in 1989 was the major technological turning point during the development of wide bandgap emission devices with wide reaching scienti c, industrial and social impli- tions.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 488 pp. Englisch.
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Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
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EUR 350,40
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Magnetic Nanoparticles for Medical Diagnostics
Libro 4 de 36: IPEM-IOP Series in Physics and Engineering in Medicine and BiologyIdioma: Inglés
Publicado por Institute of Physics Publishing, 2018
ISBN 10: 0750315822 ISBN 13: 9780750315821
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
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EUR 148,05
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Wide Bandgap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg Okt 2010, 2010
ISBN 10: 3642079946 ISBN 13: 9783642079948
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book offers a comprehensive overview of the development, current state, and future prospects of wide bandgap semiconductor materials and related optoelectronics devices. With 901 references, 333 figures and 21 tables, this book will serve as a one-stop source of knowledge on wide bandgap semiconductors and related optoelectronics devices. 488 pp. Englisch.
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Wide Bandgap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg Feb 2007, 2007
ISBN 10: 3540472347 ISBN 13: 9783540472346
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
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Wide Bandgap Semiconductors | Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Wide Bandgap Semiconductors | Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices | Kiyoshi Takahashi (u. a.) | Taschenbuch | xxv | Englisch | 2010 | Springer-Verlag GmbH | EAN 9783642079948 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Wide Bandgap Semiconductors | Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
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Wide Bandgap Semiconductors
Idioma: Inglés
Publicado por Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Okt 2010, 2010
ISBN 10: 3642079946 ISBN 13: 9783642079948
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The p¿n junction was invented in the rst half of the twentieth century and the latter half saw the birth of light emitting diodes: red and yellow/green in the 1960s and yellow in the 1970s. However, theoretical predictions of the improbabilityofsynthesizingp-typewidebandgapsemiconductorscastalo ng shadow over hopes for devices emitting in the elusive blue part of the elect- magnetic spectrum, which would complete, with red and green, the quest for the primary colors making up white light. At a time when many researchers abandoned their e orts on nitrides, Professor Isamu Akasaki of Nagoya U- versity at this time remained committed to his belief that ¿synthesis of high quality GaN crystals would eventually enable p-type doping¿ and in 1989 he succeeded in fabricating the world¿s rst GaN p¿n junction light emitting diode. Professor Isamu Akasaki kindly accepted our invitation to contribute to this book and describes his journey ¿from the nitride wilderness¿ to the rst experimental results of blue emission from GaN p¿n junctions: Japan¿s major contribution to the development of wide bandgap semiconductor devices. The discovery of blue emission from GaN p¿n junctions in 1989 was the major technological turning point during the development of wide bandgap emission devices with wide reaching scienti c, industrial and social impli- tions.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 488 pp. Englisch.
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Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
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Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. 486.
