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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures (Springer Series in Materials Scien
Librería: Ammareal, Morangis, Francia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 12,62
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Se envía de Francia a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoSoftcover. Condición: Bon. Ancien livre de bibliothèque avec équipements. Edition 1993. Ammareal reverse jusqu'à 15% du prix net de cet article à des organisations caritatives. ENGLISH DESCRIPTION Book Condition: Used, Good. Former library book. Edition 1993. Ammareal gives back up to 15% of this item's net price to charity organizations.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures (Springer Series in Materials Science)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 115,23
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. In.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 138,24
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Añadir al carritoCondición: New. pp. xiv + 428.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Idioma: Inglés
Publicado por Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH and Co. KG, DE, 2011
ISBN 10: 3642781292 ISBN 13: 9783642781292
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 145,97
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New. Softcover reprint of the original 1st ed. 1993.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing Iiiv Heterostructures (Springer Series in Materials Science)
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 153,83
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. reprint edition. 442 pages. 9.06x0.94x6.06 inches. In Stock.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy : Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. This system has been highlighted because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, and has great potential for future ultra-highspeed electronics. The use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescence methods, and the use of active devices for materials evaluation is shown in detail.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy : Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 77,94
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Añadir al carritoCondición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 444 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. This system has been highlighted because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, and has great potential for future ultra-highspeed electronics. The use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescence methods, and the use of active devices for materials evaluation is shown in detail.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures (Springer Series in Materials Science)
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 162,95
Envío por EUR 28,87
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: Like New. Like New. book.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures: 26 (Springer Series in Materials Science, 26)
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 138,22
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoBook. Condición: New. Softcover reprint of the original 1st ed. 1993.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy (eng)
Librería: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italia
Calificación del vendedor: 3 de 5 estrellas
EUR 86,24
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 151,52
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Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand pp. xiv + 428 306 Illus.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 151,81
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Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND pp. xiv + 428.
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Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Idioma: Inglés
Publicado por Springer, Springer Dez 2011, 2011
ISBN 10: 3642781292 ISBN 13: 9783642781292
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 106,99
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Today nobody can do without modern semiconductor technology and their application in micro- and optoelectronics. Here, the technique that is able to grow thinnest and best definded layers is described by the 'pope' of the method in whose laboratory it was developed. Whoever is involved in research and development or advanced studies in this fascinating field will welcome the unique volume with great interest.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 444 pp. Englisch.
