Importe total (1 artículo artículos):
Destino del pedido:
liddle adam (25 resultados)
Ir a los resultados principales
Filtros de búsqueda
Tipo de artículo
- Todos los tipos de productos
- Libros (25)
- Revistas y publicaciones (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Cómics (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Partituras (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Arte, grabados y pósters (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Fotografías (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Mapas (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Manuscritos y coleccionismo de papel (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
Condición Más información
- Nuevo (21)
- Como nuevo, Excelente o Muy bueno (4)
- Bueno o Aceptable (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Regular o Pobre (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Tal como se indica (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
Encuadernación
Más atributos
- Primera edición (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Firmado (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Sobrecubierta (No hay ningún otro resultado que coincida con este filtro.)
- Con imágenes (5)
- No impresión bajo demanda (12)
Idioma (1)
Gastos de envío gratis
Ubicación del vendedor
Valoración de los vendedores
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 18,04
Envío por EUR 2,27
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 19,51
Envío por EUR 2,27
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
-
It Started with Weight Loss: The Transformation That Changed My Life
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 9,09
Envío por EUR 17,93
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
-
TheSavvyGuideTo HPC, Grid, Data Grid, Virtualisation and Cloud Computing
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 30,64
Gastos de envío gratis
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 23,22
Envío por EUR 17,36
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
-
TheSavvyGuideTo HPC, Grid, Data Grid, Virtualisation and Cloud Computing
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,13
Envío por EUR 13,87
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. In.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 27,00
Envío por EUR 17,36
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2025
ISBN 10: 1025099400 ISBN 13: 9781025099408
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 20,39
Gastos de envío gratis
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC Mai 2025, 2025
ISBN 10: 1025099400 ISBN 13: 9781025099408
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 28,84
Envío por EUR 60,96
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - A sensitivity analysis of AlGaN/GaN HEMT performance on material and process variations was performed. Aluminum mole fraction, barrier thickness, and gate length were varied 5% over nominal values to determine how sensitive simulated device performance was to changes in these 3 parameters. Simulated data was generated with the Synopsys TCAD software suite using a physics-based HEMT model. To validate model performance, simulated data was correlated with experimental data, which consisted of wafer epilayer characterization data as well as DC and small-signal RF device performance data from 1-26 GHz.Trends were observed in the experimental data due to variations in the fabrication process. Epilayer data showed cross-wafer trends in sheet resistance, barrier thickness and Al mole fraction but didn't show any discernable trends in mobility or sheet carrier concentration. Maximum output current was the only measured performance metric that showed a strong trend across the wafers.
-
TheSavvyGuideTo HPC, Grid, Data Grid, Virtualisation and Cloud Computing
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 27,47
Envío por EUR 75,24
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
-
TheSavvyGuideTo HPC, Grid, Data Grid, Virtualisation and Cloud Computing
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 77,50
Envío por EUR 28,94
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritopaperback. Condición: Like New. Like New. book.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC Mai 2025, 2025
ISBN 10: 1025093704 ISBN 13: 9781025093703
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 44,41
Envío por EUR 61,82
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Neuware - A sensitivity analysis of AlGaN/GaN HEMT performance on material and process variations was performed. Aluminum mole fraction, barrier thickness, and gate length were varied 5% over nominal values to determine how sensitive simulated device performance was to changes in these 3 parameters. Simulated data was generated with the Synopsys TCAD software suite using a physics-based HEMT model. To validate model performance, simulated data was correlated with experimental data, which consisted of wafer epilayer characterization data as well as DC and small-signal RF device performance data from 1-26 GHz.Trends were observed in the experimental data due to variations in the fabrication process. Epilayer data showed cross-wafer trends in sheet resistance, barrier thickness and Al mole fraction but didn't show any discernable trends in mobility or sheet carrier concentration. Maximum output current was the only measured performance metric that showed a strong trend across the wafers.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2025
ISBN 10: 1025099400 ISBN 13: 9781025099408
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 19,34
Envío por EUR 3,81
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
-
Sensitivity Analysis of Algan/Gan High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 101,35
Envío por EUR 28,94
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritopaperback. Condición: Like New. Like New. book.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 25,08
Envío por EUR 7,52
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2025
ISBN 10: 1025093704 ISBN 13: 9781025093703
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 33,70
Gastos de envío gratis
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoHRD. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 31,04
Envío por EUR 3,43
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Idioma: Inglés
Publicado por Creative Media Partners, LLC, 2025
ISBN 10: 1025093704 ISBN 13: 9781025093703
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 31,32
Envío por EUR 4,82
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoHRD. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 25,91
Envío por EUR 9,95
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 36,70
Envío por EUR 7,52
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 42,45
Envío por EUR 3,43
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Print on Demand.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 37,18
Envío por EUR 9,95
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation (Paperback)
Librería: CitiRetail, Stevenage, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 23,23
Envío por EUR 42,83
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: new. Paperback. A sensitivity analysis of AlGaN/GaN HEMT performance on material and process variations was performed. Aluminum mole fraction, barrier thickness, and gate length were varied 5% over nominal values to determine how sensitive simulated device performance was to changes in these 3 parameters. Simulated data was generated with the Synopsys TCAD software suite using a physics-based HEMT model. To validate model performance, simulated data was correlated with experimental data, which consisted of wafer epilayer characterization data as well as DC and small-signal RF device performance data from 1-26 GHz.Trends were observed in the experimental data due to variations in the fabrication process. Epilayer data showed cross-wafer trends in sheet resistance, barrier thickness and Al mole fraction but didn't show any discernable trends in mobility or sheet carrier concentration. Maximum output current was the only measured performance metric that showed a strong trend across the wafers.This work has been selected by scholars as being culturally important, and is part of the knowledge base of civilization as we know it. This work was reproduced from the original artifact, and remains as true to the original work as possible. Therefore, you will see the original copyright references, library stamps (as most of these works have been housed in our most important libraries around the world), and other notations in the work.This work is in the public domain in the United States of America, and possibly other nations. Within the United States, you may freely copy and distribute this work, as no entity (individual or corporate) has a copyright on the body of the work.As a reproduction of a historical artifact, this work may contain missing or blurred pages, poor pictures, errant marks, etc. Scholars believe, and we concur, that this work is important enough to be preserved, reproduced, and made generally available to the public. We appreciate your support of the preservation process, and thank you for being an important part of keeping this knowledge alive and relevant. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
-
Sensitivity Analysis of ALGAN/GAN High Electron Mobility Transistors to Process Variation (Hardcover)
Librería: CitiRetail, Stevenage, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 35,16
Envío por EUR 42,83
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: new. Hardcover. A sensitivity analysis of AlGaN/GaN HEMT performance on material and process variations was performed. Aluminum mole fraction, barrier thickness, and gate length were varied 5% over nominal values to determine how sensitive simulated device performance was to changes in these 3 parameters. Simulated data was generated with the Synopsys TCAD software suite using a physics-based HEMT model. To validate model performance, simulated data was correlated with experimental data, which consisted of wafer epilayer characterization data as well as DC and small-signal RF device performance data from 1-26 GHz.Trends were observed in the experimental data due to variations in the fabrication process. Epilayer data showed cross-wafer trends in sheet resistance, barrier thickness and Al mole fraction but didn't show any discernable trends in mobility or sheet carrier concentration. Maximum output current was the only measured performance metric that showed a strong trend across the wafers.This work has been selected by scholars as being culturally important, and is part of the knowledge base of civilization as we know it. This work was reproduced from the original artifact, and remains as true to the original work as possible. Therefore, you will see the original copyright references, library stamps (as most of these works have been housed in our most important libraries around the world), and other notations in the work.This work is in the public domain in the United States of America, and possibly other nations. Within the United States, you may freely copy and distribute this work, as no entity (individual or corporate) has a copyright on the body of the work.As a reproduction of a historical artifact, this work may contain missing or blurred pages, poor pictures, errant marks, etc. Scholars believe, and we concur, that this work is important enough to be preserved, reproduced, and made generally available to the public. We appreciate your support of the preservation process, and thank you for being an important part of keeping this knowledge alive and relevant. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
-
TheSavvyGuideTo HPC, Grid, Data Grid, Virtualisation and Cloud Computing
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 52,38
Envío por EUR 48,99
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. KlappentextrnrnThis book is a guide for professionals, explaining the Grid, Data Grid, Caching, Virtualisation and Cloud Computing Landscape in a no-nonsense, informative manner.nnThe focus is on the overall picture of all the technologies, how .
