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Taschenbuch. Condición: Neu. Untersuchungen zu Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterschaltern für Wechselrichter mit erhöhten Anforderungen | Immo Koch | Taschenbuch | 214 S. | Deutsch | 2011 | Cuvillier | EAN 9783869559568 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die Fortschritte in der Halbleitertechnik führten über die letzten Jahrzehnte zuausgereiften Leistungshalbleiterschaltern auf Basis von Silizium (Si). Um zukünftig die physikalischen Grenzen dieser Bauelemente erweitern zu können, ist der Einsatz eines Halbleitermaterials mit größerem Bandabstand ein Erfolg versprechender Ansatz. Hierzu zählt das Material Siliziumkarbid (SiC), welches robustere und effizientere Leistungshalbleiter und somit kompaktere Systeme in Aussicht stellt. In der Arbeit werden zunächst ausgewählte Anwendungen mit erhöhten Anforderungen (Automobil, Photovoltaik) vorgestellt, bei denen eine Erweiterung des Temperaturbereiches oder eine höhere Effizienz mittels SiC-Halbleiter vorteilig wären. Die aktuellen Si-Leistungshalbleiterbauelemente, deren Aufbau- und Verbindungstechnik, Verlustmechanismen und Kühlung stellen hierfür den Stand der Technik und somit die Vergleichsreferenz neuer Halbleiter dar. Die Unterschiede zwischen der SiC- und der Si-Technologie werden anhand der Materialeigenschaften und der darauf basierenden Halbleiterstrukturen erläutert. Die dynamischen und statischen Eigenschaften wurden experimentell an verfügbaren SiC-Mustern untersucht und unter Berücksichtigung gleicher Betriebsbedingungen und gleicher Chip-Flächen sowie Auslastungen der Si-Referenz gegenübergestellt. Anhand der Variation der Untersuchungsparameter werden weiter die Abhängigkeiten der Verlustanteile aufgezeigt, woraus günstige Anwendungsvoraussetzungen abgeleitet werden können. Die Ergebnisse spiegeln einen Vergleich zwischen den Technologien der untersuchten Si und SiC-Muster wieder, wobei die hierbei verfolgte Vorgehensweise auch auf andere Prototypen übertragbar ist. 214 pp. Deutsch.

Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. KlappentextrnrnDie Fortschritte in der Halbleitertechnik fuehrten ueber die letzten Jahrzehnte zunausgereiften Leistungshalbleiterschaltern auf Basis von Silizium (Si). Um zukuenftigndie physikalischen Grenzen dieser Bauelemente erweitern zu koennen.

Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Die Fortschritte in der Halbleitertechnik führten über die letzten Jahrzehnte zuausgereiften Leistungshalbleiterschaltern auf Basis von Silizium (Si). Um zukünftigdie physikalischen Grenzen dieser Bauelemente erweitern zu können, ist derEinsatz eines Halbleitermaterials mit größerem Bandabstand ein Erfolg versprechenderAnsatz. Hierzu zählt das Material Siliziumkarbid (SiC), welches robustereund effizientere Leistungshalbleiter und somit kompaktere Systeme in Aussichtstellt.In der Arbeit werden zunächst ausgewählte Anwendungen mit erhöhten Anforderungen(Automobil, Photovoltaik) vorgestellt, bei denen eine Erweiterungdes Temperaturbereiches oder eine höhere Effizienz mittels SiC-Halbleiter vorteiligwären. Die aktuellen Si-Leistungshalbleiterbauelemente, deren Aufbau- undVerbindungstechnik, Verlustmechanismen und Kühlung stellen hierfür den Standder Technik und somit die Vergleichsreferenz neuer Halbleiter dar.Die Unterschiede zwischen der SiC- und der Si-Technologie werden anhand derMaterialeigenschaften und der darauf basierenden Halbleiterstrukturen erläutert.Die dynamischen und statischen Eigenschaften wurden experimentell an verfügbarenSiC-Mustern untersucht und unter Berücksichtigung gleicher Betriebsbedingungenund gleicher Chip-Flächen sowie Auslastungen der Si-Referenz gegenübergestellt.Anhand der Variation der Untersuchungsparameter werden weiterdie Abhängigkeiten der Verlustanteile aufgezeigt, woraus günstige Anwendungsvoraussetzungenabgeleitet werden können. Die Ergebnisse spiegeln einen Vergleichzwischen den Technologien der untersuchten Si und SiC-Muster wiederwobei die hierbei verfolgte Vorgehensweise auch auf andere Prototypen übertragbarist.Cuvillier Verlag, Nonnenstieg 8, 37075 Göttingen 212 pp. Deutsch.

Taschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Die Fortschritte in der Halbleitertechnik führten über die letzten Jahrzehnte zuausgereiften Leistungshalbleiterschaltern auf Basis von Silizium (Si). Um zukünftigdie physikalischen Grenzen dieser Bauelemente erweitern zu können, ist derEinsatz eines Halbleitermaterials mit größerem Bandabstand ein Erfolg versprechenderAnsatz. Hierzu zählt das Material Siliziumkarbid (SiC), welches robustereund effizientere Leistungshalbleiter und somit kompaktere Systeme in Aussichtstellt.In der Arbeit werden zunächst ausgewählte Anwendungen mit erhöhten Anforderungen(Automobil, Photovoltaik) vorgestellt, bei denen eine Erweiterungdes Temperaturbereiches oder eine höhere Effizienz mittels SiC-Halbleiter vorteiligwären. Die aktuellen Si-Leistungshalbleiterbauelemente, deren Aufbau- undVerbindungstechnik, Verlustmechanismen und Kühlung stellen hierfür den Standder Technik und somit die Vergleichsreferenz neuer Halbleiter dar.Die Unterschiede zwischen der SiC- und der Si-Technologie werden anhand derMaterialeigenschaften und der darauf basierenden Halbleiterstrukturen erläutert.Die dynamischen und statischen Eigenschaften wurden experimentell an verfügbarenSiC-Mustern untersucht und unter Berücksichtigung gleicher Betriebsbedingungenund gleicher Chip-Flächen sowie Auslastungen der Si-Referenz gegenübergestellt.Anhand der Variation der Untersuchungsparameter werden weiterdie Abhängigkeiten der Verlustanteile aufgezeigt, woraus günstige Anwendungsvoraussetzungenabgeleitet werden können. Die Ergebnisse spiegeln einen Vergleichzwischen den Technologien der untersuchten Si und SiC-Muster wiederwobei die hierbei verfolgte Vorgehensweise auch auf andere Prototypen übertragbarist.