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The Gunn-Hilsum Effect
Publicado por Academic Press, New York, 1979
Librería: Sleepy Hollow Books, Huntington, VT, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 17,01
Envío por EUR 3,47
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. First Edition. Blue cloth, orange lettering, no dj, like new. Science; 730.
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The Gunn-Hilsum Effect
Año de publicación: 1979
Librería: Library House Internet Sales, Grand Rapids, OH, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 17,01
Envío por EUR 6,07
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Good. No Jacket. The Gunn-Hilsum Effect covers the physical principles controlling the operation of transferred electron devices. These devices have been proven quite useful in the generation, amplification, and processing of microwave signals well into tens of gigahertz range. Organized into seven chapters, the book focuses on the analytical and numerical approaches of the two vital aspects of device behavior for a given bulk semiconductor: boundary conditions or contacts and the local circuit environment. The opening chapter of this book discusses the negative differential mobility (NDM) characteristics for a range of electric fields in the velocity-field relation of specific semiconductors and the response of such a sample to a charge fluctuation, leading to the growth of stationary and/or traveling high electric field domains. The next two chapters describe how the boundary conditions and the circuit control the manifestation of current instabilities in such systems and how this control can be understood in a simple manner. Chapters 4 and 5 discuss the numerical and experimental investigations of comparatively long bulk samples, with an emphasis on the essential NDM semiconductor n-GaAs. These chapters also examine the production of different current-voltage relationships and instabilities by cathode contacts and the control of the oscillatory characteristics of an electrically unstable sample by different circuit conditions. Chapter 6 presents both time-independent and time-dependent computations, with the latter focusing on the small-signal impedance and stability aspects. The last chapter of this book addresses the construction and evaluation of typical short devices, describes how their oscillatory characteristics compare with the long samples studied in the first six chapters, and discusses the use of short devices as amplifiers. This book is an ideal source for device engineers and designers wishing to apply transferred electron devices in creative ways. Please note the image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item. Book.
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Physics of Submicron Structures
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 54,18
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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Physics of Submicron Structures
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 62,19
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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The Physics of Submicron Structures
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 60,47
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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The Physics of Submicron Structures
Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 57,11
Envío por EUR 17,90
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 10 disponibles
Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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The Physics of Submicron Structures
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 81,25
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 376.
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 78,97
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The Physics of Submicron Structures
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 50,25
Envío por EUR 70,00
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. The Physics of Submicron Structures | Harold L. Grubin | Taschenbuch | x | Englisch | 2011 | Springer | EAN 9781461297147 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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The Physics of Submicron Structures
Idioma: Inglés
Publicado por Springer US, Springer New York, 2011
ISBN 10: 1461297141 ISBN 13: 9781461297147
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 59,97
Envío por EUR 63,53
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Research on electronic transport in ultra small dimensions has been highly stimulated by the sensational developments in silicon technology and very large scale integration. The papers in this volume, however, have been influenced to no lesser extent by the advent of molecular beam epitaxy and metal/organic chemical vapor deposition which has made possible the control of semiconductor boundaries on a quantum level. This new control of boundary condi tions in ultra small electronic research is the mathematical reason for a whole set of innovative ideas. For the first time in the history of semiconductors, it is possible to design device functions from physical considerations involving ~ngstom scale dimensions. At the time the meeting was held, July 1982, it was one of the first strong signals of the powerful developments in this area. During the meeting, important questions have been answered concerning ballistic transport, Monte Carlo simulations of high field transport and other developments pertinent to new device concepts and the understanding of small devices from physics to function. The committee members want to express their deep appreciation to the speakers who have made the meeting a success. The USER pro ject of DOD has been a vital stimulous and thanks go to the Army Research Office and the Office of Naval Research for financial sup port. Urbana, January 1984 K. Hess, Conference Chairman J. R. Brews L. R. Cooper, Ex Officio D. K. Ferry H. L. Grubin G. J. Iafrate M. I. Nathan A. F.
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THE PHYSICS OF SUBMICRON STRUCTURES
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 42,56
Envío por EUR 105,00
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Añadir al carritoCondición: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 164,11
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 164,11
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 182,52
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 141,20
Envío por EUR 70,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 5 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices | Harold L. Grubin (u. a.) | Taschenbuch | xii | Englisch | 2013 | Springer | EAN 9781489923462 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 215,70
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 480 Index.
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 217,08
Envío por EUR 3,47
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 484 Index.
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The Physics of Submicron Semiconductor Devices (NATO Science Series B:, 180)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 225,06
Envío por EUR 13,85
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 168,73
Envío por EUR 64,24
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The past three decades have been a period where useful current and voltage instabilities in solids have progressed from exciting research problems to a wide variety of commercially available devices. Materials and electronics research has led to devices such as the tunnel (Esaki) diode, transferred electron (Gunn) diode, avalanche diodes, real-space transfer devices, and the like. These structures have proven to be very important in the generation, amplification, switching, and processing of microwave signals up to frequencies exceeding 100 GHz. In this treatise we focus on a detailed theoretical understanding of devices of the kind that can be made unstable against circuit oscillations, large amplitude switching events, and in some cases, internal rearrangement of the electric field or current density distribution. The book is aimed at the semiconductor device physicist, engineer, and graduate student. A knowledge of solid state physics on an elementary or introductory level is assumed. Furthermore, we have geared the book to device engineers and physicists desirous of obtaining an understanding substantially deeper than that associated with a small signal equivalent circuit approach. We focus on both analytical and numerical treatment of specific device problems, concerning ourselves with the mechanism that determines the constitutive relation governing the device, the boundary conditions (contact effects), and the effect of the local circuit environment.
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Quantum Transport in Ultrasmall Devices: Proceedings of a NATO Advanced Study Institute on Quantum Transport in Ultrasmall Devices, held July 17-30, 1994, in II Ciocco, Italy (NATO Science Series B:)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 225,06
Envío por EUR 13,85
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. In.
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Quantum Transport in Ultrasmall Devices: Proceedings of a NATO Advanced Study Institute on Quantum Transport in Ultrasmall Devices, held July 17-30, ... Ciocco, Italy (NATO Science Series B:, 342)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 225,06
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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The Physics of Submicron Semiconductor Devices (NATO Science Series B:, 180)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 225,06
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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The Physics of Instabilities in Solid State Electron Devices
Idioma: Inglés
Publicado por Springer US, Springer New York, 2013
ISBN 10: 1489923462 ISBN 13: 9781489923462
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 168,73
Envío por EUR 63,61
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The past three decades have been a period where useful current and voltage instabilities in solids have progressed from exciting research problems to a wide variety of commercially available devices. Materials and electronics research has led to devices such as the tunnel (Esaki) diode, transferred electron (Gunn) diode, avalanche diodes, real-space transfer devices, and the like. These structures have proven to be very important in the generation, amplification, switching, and processing of microwave signals up to frequencies exceeding 100 GHz. In this treatise we focus on a detailed theoretical understanding of devices of the kind that can be made unstable against circuit oscillations, large amplitude switching events, and in some cases, internal rearrangement of the electric field or current density distribution. The book is aimed at the semiconductor device physicist, engineer, and graduate student. A knowledge of solid state physics on an elementary or introductory level is assumed. Furthermore, we have geared the book to device engineers and physicists desirous of obtaining an understanding substantially deeper than that associated with a small signal equivalent circuit approach. We focus on both analytical and numerical treatment of specific device problems, concerning ourselves with the mechanism that determines the constitutive relation governing the device, the boundary conditions (contact effects), and the effect of the local circuit environment.
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Quantum Transport in Ultrasmall Devices : Proceedings of a NATO Advanced Study Institute on Quantum Transport in Ultrasmall Devices, Held July 17-30, 1994, in II Ciocco, Italy
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 240,91
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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Physics of Submicron Semiconductor Devices
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 241,30
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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Physics of Submicron Semiconductor Devices
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 241,30
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Quantum Transport in Ultrasmall Devices
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 225,05
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Quantum Transport in Ultrasmall Devices
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 243,70
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Physics of Submicron Semiconductor Devices
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 244,75
Envío por EUR 2,29
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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Physics of Submicron Semiconductor Devices
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 244,96
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Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 15 disponibles
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