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TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE HALL MOBILITY AND CARRIER CONCENTRATION IN SILICON-ON-SAPPHIRE FILMS
Publicado por J Applied Physics, 1970
Librería: Larry W Price Books, Portland, OR, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Revista / Publicación
EUR 6,22
Envío por EUR 4,33
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPamphlet. Condición: Very Good. Vol 41, No 7, pp. 3139-3143, Illus, 4to, Extracted from orig vol, thus begins with title page, trimmed & stapled pamphlet, else VG.
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ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICON FILMS GROWN EPITAXIALLY ON SAPPHIRE
Publicado por J Applied Physics, 1967
Librería: Larry W Price Books, Portland, OR, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Revista / Publicación
EUR 6,22
Envío por EUR 4,33
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPamphlet. Condición: Very Good. Vol 38, No 4, pp. 1909-1914, Illus, 4to, Extracted from orig Vol, begins with title page, trimmed & stapled, thus is like a pamphlet, VG.
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CARRIER TRANSPORT IN THIN SILICON FILMS
Publicado por J Applied Physics, 1968
Librería: Larry W Price Books, Portland, OR, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Revista / Publicación
EUR 6,22
Envío por EUR 4,33
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoPamphlet. Condición: Very Good. Vol 39, No 6, pp. 2759-2765, Illus, 4to, Extracted from orig vol, thus begins with title page, trimmed & stapled pamphlet, else VG.
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Oxide Reliability
Idioma: Inglés
Publicado por World Scientific Publishing Company, 2002
ISBN 10: 9810248423 ISBN 13: 9789810248420
Librería: Hamelyn, Madrid, M, España
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 35,84
Envío por EUR 12,99
Se envía de España a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Bueno. : Este libro trata sobre la fiabilidad del óxido de silicio, abordando el desgaste, la ruptura y la fiabilidad de este material. Se centra en el transistor metal-óxido-semiconductor (MOS) y su invención en 1960. Cubre temas seleccionados en electrónica y sistemas, proporcionando un resumen del tema. EAN: 9789810248420 Tipo: Libros Categoría: Tecnología|Ciencias Título: Oxide Reliability Autor: D. J. Dumin Editorial: World Scientific Publishing Company Idioma: en Páginas: 280 Formato: tapa dura.
