T�tulo: Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-based Radio Frequency Devices
Editor: WSPC
Fecha de publicaci�n: 2023
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 9811255350
ISBN 13: 9789811255359
Encuadernaci�n: Encuadernaci�n de tapa dura
Estado: New

Acerca de

Sinopsis

This comprehensive compendium describes the basic modeling techniques for silicon-based semiconductor devices, introduces the basic concepts of silicon-based passive and active devices, and provides its state-of-the-art modeling and equivalent circuit parameter extraction methods. The unique reference text benefits practicing engineers, technicians, senior undergraduate and first-year graduate students working in the areas of RF, microwave and solid-state device, and integrated circuit design.

Acerca del autor

Ao Zhang was born in Nanjing, Jiangsu province, China, in 1995. She received the BS degree in Electrical engineering from Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China, in 2017 and the PhD degree in Microwave engineering at East China Normal University, Shanghai, China, in 2021. In 2019, she visited Carleton University, Ottawa, ON, Canada, as a research associate working on HBT modeling using artificial neural network techniques. From 2022, she joined Nantong University, Nantong, Jiangsu province, China. Her research focuses on modeling and on-wafer millimeter-wave measurements of active and passive devices.

Jianjun Gao was born in Hebei province, China, in 1968. He received the BEng and PhD degrees from the Tsinghua University, Beijing, China, in 1991 and 1999, respectively, and the MEng degree from the Hebei Semiconductor Research Institute, Hebei, China,in 1994. From 1999 to 2001, he was a Post-Doctoral Researcher in developing PHEMT optical modulator driver at the Microelectronics R&D Center, Chinese Academy of Sciences. In 2001, he joined the school of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore, as a Researcher in semiconductor device modeling and on wafer measurement. In 2003, he joined the Institute for High-Frequency and Semiconductor System Technologies, Berlin University of Technology, Berlin, Germany, as a Research Associate working on the InP HBT modeling and circuit design for high speed optical communication. In 2004, he joined the Electronics Engineering Department, Carleton University, Ottawa, ON, Canada, as Post-doctor Fellow working on the semiconductor neural network modeling technique. From 2004 to 2007, He was a Full Professor with the Radio Engineering Department at the Southeast University, Nanjing, China. Since 2007, he has been a Full Professor with the School of Information Science and Technology, East China Normal University, Shanghai, China. He has authored RF and Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field Effect Transistors (USA SciTech Publishing 2009), Optoelectronic Integrated Circuit Design and Device Modeling (Wiley, 2010), and Heterojunction Bipolar Transistor for Circuit Design ― Microwave Modeling and Parameter Extraction (Wiley, 2015). His main areas of research are characterization, modeling and on wafer measurement of microwave semiconductor devices, optoelectronics device and high-speed integrated circuit for radio frequency and optical communication.

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Si eres un consumidor puedes cancelar el presente contrato de acuerdo con lo indicado a continuaci�n. Son consumidores las personas f�sicas que act�en con un prop�sito ajeno a su actividad comercial, empresarial, oficio o profesi�n.

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Podremos retenerte el reembolso hasta haber recibido los bienes, o hasta que hayas presentado una prueba de la devoluci�n de los mismos, seg�n qu� condici�n se cumpla primero. Deber�s devolvernos o entregarnos directamente los bienes a GreatBookPricesUK, Willow Farm Business Park, Returns Ref: [transaction or order number], DE74 2TW, Castle Donington, Derby, United Kingdom, +1 410-964-0026, sin ninguna demora indebida y, en cualquier caso, a m�s tardar en el plazo de 14 d�as naturales a partir de la fecha en que nos comuniques tu decisi�n de desistimiento del contrato. Se considerar� cumplido el plazo si efect�as la devoluci�n de los bienes antes de que haya concluido dicho plazo. Deber�s asumir el coste directo de devoluci�n de los bienes. Solo ser�s responsable de la disminuci�n de valor de los bienes resultante de una manipulaci�n distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las caracter�sticas y el funcionamiento de los bienes.

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