HfO2-Based Ferroelectric Materials : Fabrication, Characterization and Device Applications
Idioma: inglés
Editorial: Wiley-VCH Sep 2026, 2026
- Tapa dura
- Nuevo
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Neuware - Explores HfO2-based ferroelectrics for memory, sensing, and advanced electronic applicationsFerroelectric hafnium oxide (HfO2)-based materials have transformed the field of electronic materials and device design, offering pathways to overcome long-standing barriers in scalability, compatibility, and reliability. The emergence of robust ferroelectricity in doped HfO2 has revolutionized both research and industry perspectives, providing a viable solution where conventional ferroelectrics often fell short.With contributions from leading experts, HfO2-Based Ferroelectric Materials addresses the critical need for a consolidated reference on HfO2-based ferroelectrics, offering foundational knowledge as well as the latest insights into fabrication, material characterization, and device integration. The book opens with fundamentals of ferroelectricity and the mechanisms driving HfO2-based ferroelectric behavior, before progressing to detailed examinations of deposition techniques, superlattice structures, and reliability considerations. It further explores a broad spectrum of applications, including non-volatile memories, neuromorphic computing, compute-in-memory architectures, and negative capacitance transistors, alongside emerging roles in energy storage, microwave technologies, and piezoelectric systems. Special attention is given to persistent challenges such as the wake-up effect, fatigue, and imprint issues and the strategies developed to mitigate them.An authoritative and well-structured resource for advancing the frontiers of electronic materials and device technologies, HfO2-Based Ferroelectric Materials:\* Explains the origins of ferroelectricity in doped HfO2 and its unique material advantages\* Details deposition techniques and approaches to regulating ferroelectric behavior\* Examines device-level challenges, including wake-up effect, fatigue, and imprint reliability\* Highlights applications spanning non-volatile memories, neuromorphic computing, and energy-efficient devices\* Discusses advanced designs such as superlattice-like laminate structures and 3D ferroelectric memories\* Provides insight into the reliability of HfO2-based thin films, capacitors, and field-effect transistorsHfO2-Based Ferroelectric Materials: Fabrication, Characterization, and Device Applications is an essential resource for materials scientists, electronics engineers, semiconductor and solid-state physicists, and professionals in the semiconductor and sensor industries. It is also a valuable reference for graduate-level courses in electronic materials, semiconductor devices, and advanced nanotechnology within physics, materials science, and electrical engineering degree programs. …
N° de ref. del artículo 9783527353187
- Título
- HfO2-Based Ferroelectric Materials : Fabrication, Characterization and Device Applications
- Autor
- Xubing Lu
- Editorial
- Wiley-VCH Sep 2026
- Año de publicación
- 2026
- Estado
- Neu
- Encuadernación
- Buch
- Idioma
- inglés
- ISBN 10
- 3527353186
- ISBN 13
- 9783527353187
- Peso del artículo
- 1041 gramos
- Dimensiones
- 252x175x30 mm
Explores HfO2-based ferroelectrics for memory, sensing, and advanced electronic applications
Ferroelectric hafnium oxide (HfO2)-based materials have transformed the field of electronic materials and device design, offering pathways to overcome long-standing barriers in scalability, compatibility, and reliability. The emergence of robust ferroelectricity in doped HfO2 has revolutionized both research and industry perspectives, providing a viable solution where conventional ferroelectrics often fell short.
With contributions from leading experts, HfO2-Based Ferroelectric Materials addresses the critical need for a consolidated reference on HfO2-based ferroelectrics, offering foundational knowledge as well as the latest insights into fabrication, material characterization, and device integration. The book opens with fundamentals of ferroelectricity and the mechanisms driving HfO2-based ferroelectric behavior, before progressing to detailed examinations of deposition techniques, superlattice structures, and reliability considerations. It further explores a broad spectrum of applications, including non-volatile memories, neuromorphic computing, compute-in-memory architectures, and negative capacitance transistors, alongside emerging roles in energy storage, microwave technologies, and piezoelectric systems. Special attention is given to persistent challenges―such as the wake-up effect, fatigue, and imprint issues―and the strategies developed to mitigate them.
An authoritative and well-structured resource for advancing the frontiers of electronic materials and device technologies, HfO2-Based Ferroelectric Materials:
- Explains the origins of ferroelectricity in doped HfO2 and its unique material advantages
- Details deposition techniques and approaches to regulating ferroelectric behavior
- Examines device-level challenges, including wake-up effect, fatigue, and imprint reliability
- Highlights applications spanning non-volatile memories, neuromorphic computing, and energy-efficient devices
- Discusses advanced designs such as superlattice-like laminate structures and 3D ferroelectric memories
- Provides insight into the reliability of HfO2-based thin films, capacitors, and field-effect transistors
HfO2-Based Ferroelectric Materials: Fabrication, Characterization, and Device Applications is an essential resource for materials scientists, electronics engineers, semiconductor and solid-state physicists, and professionals in the semiconductor and sensor industries. It is also a valuable reference for graduate-level courses in electronic materials, semiconductor devices, and advanced nanotechnology within physics, materials science, and electrical engineering degree programs.
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Acerca del autor
Xubing Lu is Professor of Physics at South China Normal University, where his research focuses on dielectric and ferroelectric thin-film materials and their applications in non-volatile memory devices. He earned his PhD in Physics from Nanjing University, China in 2002 and subsequently held research positions as a postdoctoral researcher, JSPS research fellow, and Humboldt fellow across leading institutions in China and abroad. Professor Lu has published over 250 scientific papers and holds more than 20 Chinese patents.
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