Electron Beam Lithography Process Optimization

Idioma: inglés

Editorial: GRIN Verlag Dez 2011, 2011

3656083169 / 9783656083160

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Technical Report from the year 2011 in the subject Design (Industry, Graphics, Fashion), University of Southern California, language: English, abstract: Currently, nanowires have aroused intensive attention due to their interesting electric and optical properties as well as potentially wide application (For example, nanowires can be used as a promising structure for transistor channels). For compound semiconductor nanowires, Nanoscale Selective Area MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition), or NS-SAG, is a very attractive growth technique for the fabrication of sophisticated nanowire structure, because by using this technique, diameter and location of wires are controllable, with no incorporation of unwanted metals. It is achieved by deposition of a nano-openingarray -patterned dielectric mask above the substrate. Since crystals cannot be formed on dielectric mask, nanowire growth only occurs at openings, with desired diameters and locations, as shown in Fig 1. Pattern of nano opening arrays is of vital importance since it governs the size, location and density of nanowires as wells as growth rate and behavior. 20 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9783656083160

Título
Electron Beam Lithography Process Optimization
Autor
Rohan Handa
Editorial
GRIN Verlag Dez 2011
Año de publicación
2011
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3656083169
ISBN 13
9783656083160
Peso del artículo
45 gramos
Dimensiones
210x148x2 mm

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