T�tulo: Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits (Frontiers in Electronic Testing, 34)
Editor: Springer
Fecha de publicaci�n: 2007
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 0387465464
ISBN 13: 9780387465463
Encuadernaci�n: Encuadernaci�n de tapa dura
Edici�n: 2� Edici�n
Estado: New

Acerca de

Sinopsis

The 2^nd edition of defect oriented testing has been extensively updated. New chapters on Functional, Parametric Defect Models and Inductive fault Analysis and Yield Engineering have been added to provide a link between defect sources and yield. The chapter on RAM testing has been updated with focus on parametric and SRAM stability testing. Similarly, newer material has been incorporated in digital fault modeling and analog testing chapters. The strength of Defect Oriented Testing for nano-Metric CMOS VLSIs lies in its industrial relevance.

De la contraportada

Failures of nano-metric technologies owing to defects and shrinking process tolerances give rise to significant challenges for IC testing. As the variation of fundamental parameters such as channel length, threshold voltage, thin oxide thickness and interconnect dimensions goes well beyond acceptable limits, new test methodologies and a deeper insight into the physics of defect-fault mappings are needed. In Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits state of the art of defect-oriented testing is presented from both a theoretical approach as well as from a practical point of view. Step-by-step handling of defect modeling, defect-oriented testing, yield modeling and its usage in common economics practices enables deeper understanding of concepts.

The progression developed in this book is essential to understand new test methodologies, algorithms and industrial practices. Without the insight into the physics of nano-metric technologies, it would be hard to develop system-level test strategies that yield a high IC fault coverage. Obviously, the work on defect-oriented testing presented in the book is not final, and it is an evolving field with interesting challenges imposed by the ever-changing nature of nano-metric technologies. Test and design practitioners from academia and industry will find that Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits lays the foundations for further pioneering work.

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Para cumplir el plazo de desistimiento, basta con que la comunicaci�n relativa al ejercicio por tu parte de este derecho sea enviada antes de que venza el plazo correspondiente.

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Podremos retenerte el reembolso hasta haber recibido los bienes, o hasta que hayas presentado una prueba de la devoluci�n de los mismos, seg�n qu� condici�n se cumpla primero. Deber�s devolvernos o entregarnos directamente los bienes a Ria Christie Collections, Suite B; (inside) ARUN House; ARUN Building, Arundel Road; Uxbridge Ind Est, UB8 2RR, Uxbridge, United Kingdom, +44 7727654838, sin ninguna demora indebida y, en cualquier caso, a m�s tardar en el plazo de 14 d�as naturales a partir de la fecha en que nos comuniques tu decisi�n de desistimiento del contrato. Se considerar� cumplido el plazo si efect�as la devoluci�n de los bienes antes de que haya concluido dicho plazo. Deber�s asumir el coste directo de devoluci�n de los bienes. Solo ser�s responsable de la disminuci�n de valor de los bienes resultante de una manipulaci�n distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las caracter�sticas y el funcionamiento de los bienes.

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A la atenci�n de: (Ria Christie Collections, Suite B; (inside) ARUN House; ARUN, Arundel Road; Uxbridge Ind Est, UB8 2RR, Uxbridge, United Kingdom, +44 7727654838)

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