Doping Engineering for Front-End Processing: Symposium Held March 25-27, 2008, San Francisco, California, U.s.a: 1070 (MRS Proceedings) - Tapa dura
Sinopsis
Materials scientists, silicon technologists and TCAD researchers come together in this book to share experimental results and physical models, discuss achievements and challenges, and identify key issues for future research in this field. The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.
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Reseña del editor
Materials scientists, silicon technologists and TCAD researchers come together in this book to share experimental results and physical models, discuss achievements and challenges, and identify key issues for future research in this field. The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.
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Doping Engnrng Front-End Proc V1070 Hb editado por Cambridge
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DOPING ENGINEERING FOR FRONT-END PROCESSING: VOLUME 1070
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Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 160511040X
ISBN 13: 9781605110400
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Doping Engineering for Front-end Processing: Symposium Held March 25-27, 2008, San Francisco, California, U.s.a: Vol 1070
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