Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction (Software Engineering; 4) - Tapa dura
Sinopsis
Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers.
Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology.
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Reseña del editor
Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers.
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Analysis and Design of Mosfets: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction
Librería: La bataille des livres, Pradinas, Francia
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Condición: Très bon. Analysis and Design of Mosfets: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction | Liou et alii | Kluwer Academic Publishers, 1998, in-8 cartonnage éditeur, 349 pages. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Bel état ! [BT18] Pour les expéditions internationales, nous consulter au préalable pour l ajustement des frais de port qui seront peut-être revus à la baisse/ For international shipments, please contact us in advance to adjust shipping costs. |. Nº de ref. del artículo: BF-PQCH-PEI5
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Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction
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Springer US, 1998
ISBN 10: 0412146010
ISBN 13: 9780412146015
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Condición: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 372 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology. Nº de ref. del artículo: 1506339/203
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Condición: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 372 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology. Nº de ref. del artículo: 1506339/3
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Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction (Software Engineering; 4)
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Analysis and Design of MOSFETs
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Analysis and Design of MOSFETs
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Analysis and Design of MOSFETs
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Analysis and Design of MOSFETs
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Condición: New. pp. 372 52:B&W 6.14 x 9.21in or 234 x 156mm (Royal 8vo) Case Laminate on White w/Gloss Lam. Nº de ref. del artículo: 5849628
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Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction (Software Engineering; 4)
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hardcover. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title! Nº de ref. del artículo: Q-0412146010
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Analysis and Design of MOSFETs
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Condición: New. Devoted to the spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). This book is extensively referenced, and contains more than 180 illustrations. Num Pages: 349 pages, biography. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 22. Weight in Grams: 1540. . 1998. Hardback. . . . . Nº de ref. del artículo: V9780412146015
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