Physical Principles Involved in Transistor Action WITH Hole Injection in Germanium - Quantitative Studies and Filamentary Transistors WITH The Theory of P-n Junctions in Semiconductors and P-n Junction Transistors

Bardeen, J.; Brattain, W. H. ; Shockley, W. ; Pearson, G.L ; Haynes, J. R. ; Shannon, Claude

Editorial: American Telephone and Telegraph Company, New York, 1949
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