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Materials Characterization for Process Control and Product Conformity
Librería: Anybook.com, Lincoln, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 9,96
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Añadir al carritoCondición: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has hardback covers. In good all round condition. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,650grams, ISBN:0849389577.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 43,12
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Añadir al carritoCondición: New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 34,11
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Añadir al carritoCondición: New. In English.
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Vlsi Electronics Microstructure Science Volume 6 : Materials and Process Characterization
Librería: Feldman's Books, Menlo Park, CA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 57,59
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Fine. 1st Edition. No Markings.
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 65,87
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 68,22
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 71,45
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Añadir al carritoCondición: As New. Unread book in perfect condition.
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 79,31
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Materials Characterization for Process Control and Product Confromity: Introduction to Methods for Nondestructive Characterization of Materials . During Production, Operation, and Inspection
Librería: SHIMEDIA, Brooklyn, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 88,59
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 73,88
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 71,05
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Hf-BASED HIGH-k DIELECTRICS: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Idioma: Inglés
Publicado por Morgan and Claypool Publishers, 2005
ISBN 10: 1598290045 ISBN 13: 9781598290042
Librería: The Book Spot, Sioux Falls, MN, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 93,03
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Añadir al carritoPaperback. Condición: New.
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 79,01
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Process-Induced Phase Separation in Polymer Blends: Materials, Characterization, Properties, and Applications
Librería: Big River Books, Powder Springs, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 98,05
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Añadir al carritoCondición: very_good. This book is in Very Good condition. The cover and pages have minor shelf wear. Binding is tight and pages are intact.
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 102,79
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 81,74
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Purification Process and Characterization of Ultra High Purity Metals: Application of Basic Science to Metallurgical Processing (Springer Series in Materials Processing)
Libro 3 de 4: Springer Series in Materials ProcessingLibrería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 114,44
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Materials and Process Characterization: VLSI Electronics Microstructure Science, Vol. 6
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 116,94
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Añadir al carritoPaperback. Condición: Brand New. 614 pages. 9.25x6.00x1.39 inches. In Stock.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 29,90
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Añadir al carritoCondición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 288 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling (Springer Series in Advanced Microelectronics, 52)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 147,73
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Añadir al carritoCondición: New. pp. 286.
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Process-Induced Phase Separation In Polymer Blends Materials, Characterization, Properties, And Applications
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 167,69
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Añadir al carritoCondición: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors | Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 95,15
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors | Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling | Souvik Mahapatra | Taschenbuch | xvi | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9788132234241 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Advanced Characterization and On-Line Process Monitoring of Additively Manufactured Materials and Components
Librería: Rarewaves.com UK, London, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 96,77
Envío por EUR 75,12
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoHardback. Condición: New.
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Chemistry of Superconductor Materials: Preparation, Chemistry, Characterization, and Theory (Materials Science and Process Technology Series)
Librería: Stephen White Books, Bradford, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 139,62
Envío por EUR 38,42
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Good. Ex-library book, usual markings. Clean copy in good condition. Quick dispatch from UK seller.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 114,36
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Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 114,36
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 161,88
Envío por EUR 28,89
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Like New. Like New. book.
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Process-Induced Phase Separation in Polymer Blends: Materials, Characterization, Properties, and Applications
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 193,53
Envío por EUR 11,56
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 211 pages. 9.61x6.93x0.75 inches. In Stock.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling (Springer Series in Advanced Microelectronics)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 202,85
Envío por EUR 3,43
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 4 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. pp. 269.
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Characterization of Minerals, Metals, and Materials 2024 : Process-Structure-Property Relations and New Technologies
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 98,31
Envío por EUR 105,00
Se envía de Alemania a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 736 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The collection focuses on the advancements of characterization of minerals, metals, and materials and the applications of characterization results on the processing of these materials. Advanced characterization methods, techniques, and new instruments are emphasized. Areas of interest include, but are not limited to:· Extraction and processing of various types of minerals, process-structure-property relationship of metal alloys, glasses, ceramics, polymers, composites, semiconductors, and carbon using functional and structural materials.· Novel methods and techniques for characterizing materials across a spectrum of systems and processes. · Characterization of mechanical, thermal, electrical, optical, dielectric, magnetic, physical, and other properties of materials. · Characterization of structural, morphological,and topographical natures of materials at micro- and nano- scales. · Characterization of extraction and processing including process development and analysis. · Advances in instrument developments for microstructure analysis and performance evaluation of materials, such as computer tomography (CT), X-ray and neutron diffraction, electron microscopy (SEM, FIB, TEM), and spectroscopy (EDS, WDS, EBSD) techniques. · 2D and 3D modelling for materials characterization.
