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9783659406751 - An SOI LDMOS For Better Switch Application: Electron Devices de Biswas, Arindam; Rafique, Arzoo; Bhattacharjee, Anup Kumar (9 resultados)
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An Soi Ldmos for Better Switch Application
Idioma: Inglés
Publicado por VDM Verlag Dr. Mueller Aktiengesellschaft & Co. KG, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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An SOI LDMOS For Better Switch Application | Electron Devices
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. An SOI LDMOS For Better Switch Application | Electron Devices | Arindam Biswas (u. a.) | Taschenbuch | 84 S. | Englisch | 2013 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659406751 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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An SOI LDMOS For Better Switch Application: Electron Devices
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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An SOI LDMOS For Better Switch Application
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing Jun 2013, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1- m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1- m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET. 84 pp. Englisch.
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An Soi Ldmos for Better Switch Application
Idioma: Inglés
Publicado por VDM Verlag Dr. Mueller Aktiengesellschaft & Co. KG, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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An Soi Ldmos for Better Switch Application
Idioma: Inglés
Publicado por VDM Verlag Dr. Mueller Aktiengesellschaft & Co. KG, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. PRINT ON DEMAND pp. 84.
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An SOI LDMOS For Better Switch Application
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Biswas ArindamArindam BiswasB.Tech, M.Tech (CU), PhD Submitted (NIT Dgp)Research Interests:Electron Transport, Non Linear Optics, Electron Devices.Publication: Journals and Conferences- 40 Book: 2This book is proposed.
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An SOI LDMOS For Better Switch Application
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing Jun 2013, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemania
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EUR 39,90
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1-¿m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1-¿m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 84 pp. Englisch.
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An SOI LDMOS For Better Switch Application : Electron Devices
Idioma: Inglés
Publicado por LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013
ISBN 10: 3659406759 ISBN 13: 9783659406751
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1- m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1- m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.
