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9781032489438 - 3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology) (17 resultados)
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Hardcover)
Idioma: Inglés
Publicado por Taylor & Francis Ltd, London, 2023
ISBN 10: 103248943X ISBN 13: 9781032489438
Librería: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 65,59
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Añadir al carritoHardcover. Condición: new. Hardcover. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures to its applications. Resistive random-access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory applications owing to its superior characteristics including simple structure, high switching speed, low power consumption, and compatibility with standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. To achieve large-scale, high-density integration of RRAM, the 3D cross array is undoubtedly the ideal choice. This book introduces the 3D integration technology of RRAM, and breaks it down into five parts:1: Associative Problems in Crossbar array and 3D architectures;2: Selector Devices and Self-Selective Cells; 3: Integration of 3D RRAM; 4: Reliability Issues in 3D RRAM; 5: Applications of 3D RRAM beyond Storage.The book aspires to provide a relevant reference for students, researchers, engineers, and professionals working with resistive random-access memory or those interested in 3D integration technology in general. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures, to its applications. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Librería: Majestic Books, Hounslow, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Librería: Books Puddle, New York, NY, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 83,26
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 74,19
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 85,19
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Hardcover)
Idioma: Inglés
Publicado por Taylor & Francis Ltd, London, 2023
ISBN 10: 103248943X ISBN 13: 9781032489438
Librería: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australia
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 77,42
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Añadir al carritoHardcover. Condición: new. Hardcover. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures to its applications. Resistive random-access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory applications owing to its superior characteristics including simple structure, high switching speed, low power consumption, and compatibility with standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. To achieve large-scale, high-density integration of RRAM, the 3D cross array is undoubtedly the ideal choice. This book introduces the 3D integration technology of RRAM, and breaks it down into five parts:1: Associative Problems in Crossbar array and 3D architectures;2: Selector Devices and Self-Selective Cells; 3: Integration of 3D RRAM; 4: Reliability Issues in 3D RRAM; 5: Applications of 3D RRAM beyond Storage.The book aspires to provide a relevant reference for students, researchers, engineers, and professionals working with resistive random-access memory or those interested in 3D integration technology in general. This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures, to its applications. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability.
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3d Integration of Resistive Switching Memory
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoHardcover. Condición: Brand New. 128 pages. 8.50x5.44x0.43 inches. In Stock.
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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3D Integration of Resistive Switching Memory (Frontiers in Semiconductor Technology)
Librería: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
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Añadir al carritoCondición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Qing Luo received his Ph.D. degree in Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, China in 2017. He is currently Professor at the Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology in I.
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3D Integration of Resistive Switching Memory
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
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Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures to its applications.¿Resistive random-access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory applications owing to its superior characteristics including simple structure, high switching speed, low power consumption, and compatibility with standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. To achieve large-scale, high-density integration of RRAM, the 3D cross array is undoubtedly the ideal choice. This book introduces the 3D integration technology of RRAM, and breaks it down into five parts:1: Associative Problems in Crossbar array and 3D architectures;2: Selector Devices and Self-Selective Cells;3: Integration of 3D RRAM;4: Reliability Issues in 3D RRAM;5: Applications of 3D RRAM beyond Storage.The book aspires to provide a relevant reference for students, researchers, engineers, and professionals working with resistive random-access memory or those interested in 3D integration technology in general.
