S rumyantsev (41 resultados)
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Editorial: Moscow : Co-operative Publishing Society of Foreign Workers in the U.S.S.R., 1932
- Tapa blanda
- Primera edición
Librería: MW Books, New York, NY, Estados Unidos de AmericaMW Books
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Añadir al carritoFirst Edition. Very good paperback copy; edges very slightly dust-dulled and nicked. Remains particularly and surprisingly well-preserved overall; tight, bright, clean and especially sharp-cornered.; 8vo 8" - 9" tall; 23 pages; Physical description. : 23 p. 18 cm. Subject: Technical education - Soviet Union. 1 Kg. …
Editorial: Moscow : Co-operative Publishing Society of Foreign Workers in the U.S.S.R., 1932
- Tapa blanda
- Primera edición
Librería: MW Books Ltd., Galway, IrlandaMW Books Ltd.
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Añadir al carritoFirst Edition. Very good paperback copy; edges very slightly dust-dulled and nicked. Remains particularly and surprisingly well-preserved overall; tight, bright, clean and especially sharp-cornered.; 8vo 8" - 9" tall; 23 pages; Physical description. : 23 p. 18 cm. Subject: Technical education - Soviet Union. 1 Kg. …
Editorial: Politizdat, 1972
- Tapa dura
Librería: ISIA Media Verlag UG | Bukinist, Leipzig, AlemaniaISIA Media Verlag UG | Bukinist
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2006
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2006
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 1999
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 1999
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Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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Hardback. Condición: New. The Handbook Series on Semiconductor Parameters will consist of 5 volumes and will include data on the most popular semiconductor materials. These volumes aim to be a basic reference for scientists, engineers, students and technicians working in semiconductor materials and devices. The books have been kept compact but comprehensive and contain the values of frequently needed parameters selected and commented by leading experts on these materials. The first volume will include data on Si, Ge, diamond, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, and InSb.…
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Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 344 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | After many years of research and development, silicon carbide has emerged as one of the most important wide band gap semiconductors. The first commercial SIC devices--power switching Schottky diodes and high temperature MESFETs--are now on the market This two-volume book gives a comprehensive, up-to-date review of silicon carbide materials properties and devices. With contributions by recognized leaders in SiC technology and materials and device research.…
Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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