S rumyantsev (39 resultados)

- Tapa dura
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Editorial: Moscow : Co-operative Publishing Society of Foreign Workers in the U.S.S.R., 1932
- Tapa blanda
- Primera edición
Librería: MW Books, New York, NY, Estados Unidos de AmericaMW Books
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Añadir al carritoFirst Edition. Very good paperback copy; edges very slightly dust-dulled and nicked. Remains particularly and surprisingly well-preserved overall; tight, bright, clean and especially sharp-cornered.; 8vo 8" - 9" tall; 23 pages; Physical description. : 23 p. 18 cm. Subject: Technical education - Soviet Union. 1 Kg. …

Editorial: Moscow : Co-operative Publishing Society of Foreign Workers in the U.S.S.R., 1932
- Tapa blanda
- Primera edición
Librería: MW Books Ltd., Galway, IrlandaMW Books Ltd.
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Añadir al carritoFirst Edition. Very good paperback copy; edges very slightly dust-dulled and nicked. Remains particularly and surprisingly well-preserved overall; tight, bright, clean and especially sharp-cornered.; 8vo 8" - 9" tall; 23 pages; Physical description. : 23 p. 18 cm. Subject: Technical education - Soviet Union. 1 Kg. …

Editorial: Politizdat, 1972
- Tapa dura
Librería: ISIA Media Verlag UG | Bukinist, Leipzig, AlemaniaISIA Media Verlag UG | Bukinist
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EUR 7,54
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- Tapa dura
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de AmericaBasi6 International
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- Tapa dura
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2006
- Tapa dura
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2006
- Tapa dura
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 1999
- Tapa dura
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Idioma: Inglés
Editorial: World Scientific Publishing Company, Incorporated, 1999
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Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 344 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | After many years of research and development, silicon carbide has emerged as one of the most important wide band gap semiconductors. The first commercial SIC devices--power switching Schottky diodes and high temperature MESFETs--are now on the market This two-volume book gives a comprehensive, up-to-date review of silicon carbide materials properties and devices. With contributions by recognized leaders in SiC technology and materials and device research.…

Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige
Levinshtein, M. E. (EDT); Rumyantsev, Serguey L. (EDT); Shur, Michael (EDT)
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