Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Since scaling of CMOS is reaching the nanometer area serious limitations enforce the introduction of novel materials, device architectures and device concepts. Multi-gate devices employing high-k gate dielectrics are considered as promising solution overcoming these scaling limitations of conventional planar bulk CMOS. Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies provides a technology oriented assessment of analog and mixed-signal circuits in emerging high-k and multi-gate CMOS technologies.

N� de ref. del art�culo 9789400730830

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Detalles bibliogr�ficos

T�tulo: Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies
Editor: Springer Netherlands, Springer Netherlands
Fecha de publicaci�n: 2012
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 9400730837
ISBN 13: 9789400730830
Encuadernaci�n: Taschenbuch
Estado: Neu
Dimensiones: 235�mil�metros de ancho por 155 de alto por 8 de largo
Peso: 224 gramos

Acerca de

Sinopsis

De la contraportada

Since scaling of CMOS is reaching the nanometer area serious limitations enforce the introduction of novel materials, device architectures and device concepts. Multi-gate devices employing high-k gate dielectrics are considered as promising solution overcoming these scaling limitations of conventional planar bulk CMOS. Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies provides a technology oriented assessment of analog and mixed-signal circuits in emerging high-k and multi-gate CMOS technologies. Closing the gap from technology to design a detailed insight into circuit performance trade-offs related to multi-gate and high-k device specifics is provided. The new effect of transient threshold voltage variations is described with an equivalent model that allows a systematic assessment of the consequences on circuit level and the development of countermeasures to compensate for performance degradation in comparators and A/D converters. Key analog, mixed-signal and RF building blocks are realized in high-k multi-gate technology and benchmarked against planar bulk. Performance and area benefits, enabled by advantageous multi-gate device properties are analytically and experimentally quantified for reference circuits, operational amplifiers and D/A converters. This is based on first time silicon investigations of complex mixed-signal building blocks as D/A converter and PLL with multi-gate devices. As another first, the integration of tunnel transistors in a multi-gate process is described, enabling devices with promising scaling and analog properties. Based on these devices a novel reference circuit is proposed which features low power consumption.

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