Neuware -This book provides a single-source reference to the state-of-the art intunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETsphysics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process andthe important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designsfor power efficiency.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 224 pp. Englisch.

N� de ref. del art�culo 9783319810874

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Detalles bibliogr�ficos

T�tulo: Tunneling Field Effect Transistor Technology
Editor: Springer International Publishing, Springer International Publishing Apr 2018
Fecha de publicaci�n: 2018
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 3319810871
ISBN 13: 9783319810874
Encuadernaci�n: Taschenbuch
Estado: Neu
Dimensiones: 235�mil�metros de ancho por 155 de alto por 13 de largo
Peso: 347 gramos

Acerca de

Sinopsis

This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

De la contraportada

This book provides a single-source reference tothe state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, theTFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play inenabling integrated circuit designs for power efficiency.

� Provides comprehensive reference to tunneling field effecttransistors (TFETs);

� Covers all aspects of TFETs, from device process to modeling andapplications;

� Enables design of power-efficient integrated circuits, with lowpower consumption TFETs.

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