Thin Film Ferroelectric Materials and Devices

Idioma: inglés

Editorial: Springer US, Springer US Sep 1997, 1997

0792399935 / 9780792399933

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The past five years have witnessed some dramatic developments in the general area of ferroelectric thin films materials and devices. Ferroelectrics are not new materials by any stretch ofimagination. Indeed, they have been known since the early partofthis century and popular ferroelectric materials such as Barium Titanate have been in use since the second world war. In the late sixties and seventies, a considerable amountofresearch and development effort was made to create a solid state nonvolatile memory using ferroelectrics in a vary simple matrix-addressed scheme. These attempts failed primarily due to problems associated with either the materials ordue to device architectures. The early eighties saw the advent of new materials processing approaches, such as sol-gel processing, that enabled researchers to fabricate sub-micron thin films of ferroelectric materials on a silicon substrate. These pioneering developments signaled the onsetofa revival in the areaofferroelectric thin films, especially ferroelectric nonvolatile memories. Research and development effort in ferroelectric materials and devices has now hit a feverish pitch, Many university laboratories, national laboratories and advanced R&D laboratories oflarge IC manufacturers are deeply involved in the pursuit of ferroelectric device technologies. Many companies worldwide are investing considerable manpower and resources into ferroelectric technologies. Some have already announced products ranging from embedded memories in micro controllers, low density stand-alone memories, microwave circuit elements, andrf identification tags. There is now considerable optimism that ferroelectric devices andproducts will occupy a significant market-share in the new millennium. 268 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9780792399933

Título
Thin Film Ferroelectric Materials and Devices
Autor
R. Ramesh
Editorial
Springer US, Springer US Sep 1997
Año de publicación
1997
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
0792399935
ISBN 13
9780792399933
Peso del artículo
571 gramos
Dimensiones
241x160x20 mm

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