Subthreshold Surface Potential Model for Short-Channel Mosfet

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Feb 2014, 2014

3659126098 / 9783659126093

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -As a result of aggressive downscaling, short-channel effects (SCEs) become a major threat for future downscaling especially in the sub-100nm region. In order to extend the International Technology Road-map for Semiconductors (ITRS) road-map beyond 100nm, Double-Gate (DG) MOSFET evinces himself as a major promising candidate due to its higher scaling capability. In this book, modelling using a pseudo- two-dimensional (2D) analysis was presented to explore the effect of scaling especially for subthreshold characteristics of short-channel DG and conventional single gate MOSFET. 84 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783659126093

Título
Subthreshold Surface Potential Model for Short-Channel Mosfet
Autor
Angsuman Sarkar
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Feb 2014
Año de publicación
2014
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3659126098
ISBN 13
9783659126093
Peso del artículo
143 gramos
Dimensiones
220x150x6 mm

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