Studies on Vanadium based Schottky Contacts to n-type Indium Phosphide

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2013, 2013

3659378631 / 9783659378638

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Indium phosphide (InP) with a direct band gap of 1.35 eV is a promising material for photovoltaic solar energy conversion. The high radiation resistance and potentially high efficiency make InP solar cells excellent candidates for eventually using in space. InP and its related compounds have found potential applications in the design of high speed devices such as field effect transistors and high electron mobility transistor (FET, HEMT), charge coupled devices, solar and integrated optoelectronic devices such as radiation detectors and chemical sensors. InP schottky diodes are of special interest because of its special properties such as large mobility required for high speed devices, optimum bandgap for photovoltaic conversion and radiation resistance for solar cells. 164 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783659378638

Título
Studies on Vanadium based Schottky Contacts to n-type Indium Phosphide
Autor
S. Sankar Naik
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2013
Año de publicación
2013
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3659378631
ISBN 13
9783659378638
Peso del artículo
262 gramos
Dimensiones
220x150x10 mm

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