The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Idioma: inglés

Editorial: Springer Berlin Heidelberg Jun 2016, 2016

366249681X / 9783662496817

Serie: Libro 107 de 797 - Springer Theses

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. 80 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783662496817

Título
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Autor
Zhiqiang Li
Editorial
Springer Berlin Heidelberg Jun 2016
Año de publicación
2016
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
366249681X
ISBN 13
9783662496817
Peso del artículo
310 gramos
Dimensiones
241x160x10 mm
Serie
Libro 107 de 797: Springer Theses

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