A Simulation Case Study Of Semiconductors For Advanced Processors

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2016, 2016

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The electrical characteristic of bipolar transistor are studied using gummel plot focusing on gain of the structure. For high speed considerations we are analyzing the small signal model using scattering parameters. The gain of this work is approximate to 200 means high gain represents low leakages in the structure. The scattering parameters describe the high speed considerations. And gummel plot describes the currents verses base emitter voltage in common emitter configuration. In this graph we didn't get any leakages but other effects are shown. The gain plot is constant for 0.5V from 0.3V to 0.8V. This proposed BJT is used in advanced processors of high speed considerations and integrated circuits.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 116 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783659949371

Título
A Simulation Case Study Of Semiconductors For Advanced Processors
Autor
N. S. Murti Sarma
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2016
Año de publicación
2016
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
365994937X
ISBN 13
9783659949371
Peso del artículo
191 gramos
Dimensiones
220x150x8 mm

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