Remedies of Short Channel Effects in Conventional MOSFET

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Jul 2014, 2014

3659566268 / 9783659566264

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -MOSFETs are scaled primarily due to increased packing density and speed. Due to scaling some drawbacks are found in conventional MOSFET. They are mobility degradation and surface scattering, velocity saturation in MOSFET, avalanche breakdown, hot electron effect, drain induced barrier lowering(DIBL), reduction of threshold voltage, punch through. These drawbacks are known as Short Channel Effect(SCE).The model of double halo dual material gate combines the advantages of both the channel engineering (halo) and the gate engineering techniques (dual-material gate) to effectively suppress the short-channel effects (SCEs). The model is derived using the pseudo-2D analysis by applying the Gauss's law to an elementary rectangular box in the channel depletion region, considering the surface potential variation with the channel depletion layer depth.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 76 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783659566264

Título
Remedies of Short Channel Effects in Conventional MOSFET
Autor
Swapnadip De
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Jul 2014
Año de publicación
2014
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3659566268
ISBN 13
9783659566264
Peso del artículo
131 gramos
Dimensiones
220x150x6 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Alemania

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