Power GaN Devices
Idioma: inglés
Editorial: Springer, Springer Vieweg Apr 2018, 2018
- Tapa blanda
- Nuevo
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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption.The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach.This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 392 pp. Englisch.…
N° de ref. del artículo 9783319827568
- Título
- Power GaN Devices
- Autor
- Matteo Meneghini
- Editorial
- Springer, Springer Vieweg Apr 2018
- Año de publicación
- 2018
- Estado
- Neu
- Encuadernación
- Taschenbuch
- Idioma
- inglés
- ISBN 10
- 3319827561
- ISBN 13
- 9783319827568
- Peso del artículo
- 664 gramos
- Dimensiones
- 235x155x20 mm
- Serie
- Libro 90 de 153: Power Systems
This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption.
The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach.
This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation.
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Acerca del autor
Gaudenzio Meneghesso received the Ph.D. degree in electrical and telecommunication engineering from the University of Padova, Padova, Italy, in 1997. In 1995, he was with the University of Twente, Enschede, The Netherlands, with a Human Capital and Mobility fellowship (within the SUSTAIN Network) working on the dynamic behavior of protection structures against electrostatic discharge (ESD). Since 2011, he has been a Full Professor with the Department of Information Engineering, University of Padova.
Enrico Zanoni was born in Verona, Italy, in 1956. He received the Laurea degree in physics (cum laude) from the University of Modena and Reggio Emilia, Modena, Italy, in 1982, after a student internship with the S. Carlo Foundation, Modena. During 1985–1988, he was an Assistant Professor with the Faculty of Engineering, University of Bari, Bari, Italy. From 1988 to 1993, he frequently visited the U.S. and established research collaborations with Bell Laboratories; Hughes Research Laboratories; IBM T. J. Watson Research Center; Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA; TRW (currently, Northrop Grumman); University of California, Santa Barbara, CA, USA; and many other industrial and academic laboratories. During 1996–1997, he was a Full Professor of industrial electronics with the University of Modena and Reggio Emilia. Heis currently with the University of Padova, Padua, Italy, where he was an Assistant Professor during 1988–1992, an Associate Professor of electronics during 1992–1993, a Full Professor of microelectronics during 1993–1996, and has been a Full Professor of digital electronics with the Department of Information Engineering since 1997.
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Alternative Streitbeilegung:
Die Europäische Kommission stellt eine Plattform für die außergerichtliche Online-Streitbeilegung (OS-Plattform) bereit, aufrufbar unter http://ec.europa.eu/odr.
Derecho al desistimiento
Si es un consumidor, puede rescindir el contrato de acuerdo con lo siguiente. Por consumidor se entiende cualquier persona física que actúe con fines ajenos a su actividad comercial, empresarial, oficio o profesión.
Información sobre el derecho de desistimiento
Derecho legal de desistimiento
Tiene derecho a rescindir este contrato en un plazo de 14 días sin dar ningún motivo.
El periodo de desistimiento vencerá a los 14 días desde que usted, o un tercero que no sea el transportista e indicado por usted, adquiera la posesión física del último bien o del último lote o pieza.
Para ejercer el derecho de desistimiento, complete de forma electrónica y envíe una declaración clara en nuestro sitio web, desde "Mis compras" en "Mi cuenta". Le enviaremos sin demora un acuse de recibo de dicho desistimiento a través de un soporte duradero (por ejemplo, por correo electrónico).
Para cumplir con el plazo de desistimiento, basta con que envíe su comunicación relativa al ejercicio del derecho de desistimiento antes de que venza el periodo de desistimiento.
Efectos del desistimiento
Si rescinde este contrato, le reembolsaremos todos los pagos que hayamos recibido de usted, incluidos los gastos de envío (excepto los gastos adicionales que surjan si elige un tipo de envío que no sea el tipo de envío estándar más económico que ofrecemos).
Podemos hacer una deducción del reembolso por la pérdida de valor de cualquier bien suministrado, si la pérdida es el resultado de una manipulación innecesaria por su parte.
Efectuaremos el reembolso sin demoras indebidas y, a más tardar, 14 días después de que se nos informe de su decisión de rescindir este contrato.
Efectuaremos el reembolso utilizando el mismo medio de pago que utilizó para la transacción inicial, a menos que haya acordado expresamente lo contrario; en cualquier caso, no incurrirá en ningún cargo como resultado de dicho reembolso.
Podremos retener el reembolso hasta que hayamos recibido los bienes o hasta que nos haya presentado una prueba de que los ha devuelto, lo que ocurra primero.
Deberá devolver los bienes o entregarlos a buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germany, +49 09209-2023188, sin demoras indebidas y, en cualquier caso, en un plazo máximo de 14 días a partir del día en que nos comunique su desistimiento del presente contrato. El plazo se cumple si devuelve la mercancía antes de que venza el periodo de 14 días. Tendrá que asumir los gastos directos de devolución de los bienes. Usted solo es responsable de la disminución del valor de los bienes como resultado de una manipulación distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las características y el funcionamiento de los bienes.
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