Plasma Charging Damage

Idioma: inglés

Editorial: Springer London Aug 2012, 2012

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In the 50 years since the invention of transistor, silicon integrated circuit (IC) technology has made astonishing advances. A key factor that makes these advances possible is the ability to have precise control on material properties and physical dimensions. The introduction of plasma processing in pattern transfer and in thin film deposition is a critical enabling advance among other things. In state of the art silicon Ie manufacturing process, plasma is used in more than 20 different critical steps. Plasma is sometimes called the fourth state of matter (other than gas, liquid and solid). It is a mixture of ions (positive and negative), electrons and neutrals in a quasi-neutral gaseous steady state very far from equilibrium, sustained by an energy source that balances the loss of charged particles. It is a very harsh environment for the delicate ICs. Highly energetic particles such as ions, electrons and photons bombard the surface of the wafer continuously. These bombardments can cause all kinds of damage to the silicon devices that make up the integrated circuits. 364 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9781447110620

Título
Plasma Charging Damage
Autor
Kin P. Cheung
Editorial
Springer London Aug 2012
Año de publicación
2012
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
1447110625
ISBN 13
9781447110620
Peso del artículo
552 gramos
Dimensiones
235x155x20 mm

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