The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface

Idioma: inglés

Editorial: Springer US, 1989

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Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of a symposium of the 173rd Meeting of the Electrochemical Society held in Atlanta, Georgia, May 15-20, 1988 The properties of Si02 and the Si-Si02 interface provide the key foundation onto which the majority of semiconductor device technol.

N° de ref. del artículo 5901547

Título
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface
Editorial
Springer US
Año de publicación
1989
Estado
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Encuadernación
Gebunden
Idioma
inglés
ISBN 10
0306430320
ISBN 13
9780306430329

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