The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2

Idioma: inglés

Editorial: Springer US Nov 2013, 2013

1489915907 / 9781489915900

  • Tapa blanda
  • Nuevo
Ver todos los detalles

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de AbeBooks desde 11 de enero de 2012

Ver los artículos de este vendedor
Tapa blanda

Condición: Nuevo

EUR 277,13

Envío por EUR 23,00 
Se envía de Alemania a Estados Unidos de America

Cantidad disponible: 2 disponibles

Añadir al carrito
Devoluciones gratuitas de 30 días

Descripción del artículo del vendedor

This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The first international symposium on the subject 'The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 Interface,' organized in association with the Electrochemical Society, Inc. , was held in Atlanta, Georgia on May 15- 20, 1988. This symposium contained sixty papers and was so successful that the sponsoring divisions decided to schedule it on a regular basis every four years. Thus, the second symposium on 'The Physics and Chemistry of Si02 and the Si02 Interface was held May 18-21, 1992 in St. Louis, Missouri, again sponsored by the Electronics and Dielectrics Science and Technology Divisions of The Electrochemical Society. This volume contains manuscripts of most of the fifty nine papers presented at the 1992 symposium, and is divided into eight chapters - approximating the organization of the symposium. Each chapter is preceded with an introduction by the session organizers. It is appropriate to provide a general assessment of the current status and understanding of the physics and chemistry of Si02 and the Si02 interface before proceeding with a brief overview of the individual chapters. Semiconductor devices have continued to scale down in both horizontal and vertical dimensions. This has resulted in thinner gate and field oxides as well as much closer spacing of individual device features. As a result, surface condition, native oxide composition, and cleaning and impurity effects now provide a much more significant contribution to the properties of oxides and their interfaces. 520 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9781489915900

Título
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
Autor
C. R. Helms
Editorial
Springer US Nov 2013
Año de publicación
2013
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
1489915907
ISBN 13
9781489915900
Peso del artículo
779 gramos
Dimensiones
235x155x28 mm

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Bergisch Gladbach, Alemania

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de AbeBooks desde 11 de enero de 2012

Tarifas de envío de Alemania a Estados Unidos de America

ArtículoDe 5 a 15 días hábilesDe 5 a 15 días hábiles
Primer artículoEUR 23,00EUR 23,00
Los plazos de entrega los establecen los vendedores y varían según el transportista y la ubicación. Los pedidos que pasan por la aduana pueden sufrir retrasos y los compradores son responsables de los aranceles o tarifas asociadas. Los vendedores pueden ponerse en contacto con usted en relación con cargos adicionales para cubrir cualquier aumento en los costes de envío de los artículos.

Métodos de pago

  • Visa
  • Mastercard
  • American Express
  • Carte Bleue
  • Apple Pay
  • Google Pay
  • Cheque
  • Giro bancario
  • PayPal

Información empresarial del vendedor

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Alemania