Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Dez 2017, 2017

6202094281 / 9786202094283

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Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book describes the SRAM design concept in FinFET technologies using unique features of non-planar double-gated devices. The parameter space required to design FinFETs will be explored. Variety of SRAM design techniques will be presented exploiting the advantages of tied gate and independent gate controlled configurations. SRAM performance, power, and stability for FinFET devices are compared with conventional planar CMOS counterparts. Modeling the variability of FinFETs through statistics will be presented as well. The MOSFET device was compared with both Poly silicon and Molybdenum as gate material and the FinFET device was designed with different gate materials like Gold, Tungsten, Tantalum and Molybdenum and results were compared with Poly silicon gate material devices.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 52 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9786202094283

Título
Performance Enhancement of SRAM FINFET using different Gate materials
Autor
Manikandan Murugesan
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Dez 2017
Año de publicación
2017
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
6202094281
ISBN 13
9786202094283
Peso del artículo
96 gramos
Dimensiones
220x150x4 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Alemania

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