Optical Testing of Semiconductor Devices under High Energy Pulses : Advanced Optical Interferometric Methods for Nanosecond Mapping of Semiconductor Devices under High Energy Pulses

Idioma: inglés

Editorial: Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften, 2009

3838104048 / 9783838104041

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - For optimisation of devices and verification of device simulation models the knowledge of heat dissipation and of free carrier concentration in the device is essential. Non-destructive optical methods based on monitoring of the refractive index, absorption or light emission have previously been developed for investigation of transient temperature or free carrier changes. However, these methods suffer either from small spatial or time resolution. Therefore two testing techniques based on transient interferometric mapping have been developed within this thesis: a two-dimensional multiple-time-instant single-shot technique and a two-beam technique with sub-nanosecond time resolution.

N° de ref. del artículo 9783838104041

Título
Optical Testing of Semiconductor Devices under High Energy Pulses : Advanced Optical Interferometric Methods for Nanosecond Mapping of Semiconductor Devices under High Energy Pulses
Autor
Viktor Dubec
Editorial
Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften
Año de publicación
2009
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3838104048
ISBN 13
9783838104041
Peso del artículo
256 gramos
Dimensiones
220x150x11 mm

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